[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110441202.X | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113643993A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 松田庆太 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;曲盛 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，具有：
在第一金属层上形成热固性树脂膜的工序；
在所述树脂膜上形成开口部的工序；
形成第二金属层的工序，所述第二金属层覆盖从所述树脂膜的开口部露出的所述第一金属层的上表面到所述树脂膜的上表面的区域；
在所述形成第二金属层的工序之后，在所述树脂膜固化的温度以上的温度下进行热处理的工序；
在所述进行热处理的工序之后，形成覆盖膜的工序，所述覆盖膜覆盖所述树脂膜的上表面和所述第二金属层的侧面；和
在所述形成覆盖膜的工序之后，在从所述覆盖膜的开口部露出的所述第二金属层的上表面形成焊料的工序。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述树脂膜为聚酰亚胺膜。
3.如权利要求1或权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述形成第二金属层的工序包括：
形成第三金属层的工序，所述第三金属层覆盖从所述树脂膜的开口部露出的所述第一金属层的上表面到所述树脂膜的上表面的区域；和
形成第四金属层的工序，所述第四金属层覆盖从所述第三金属层的上表面到所述树脂膜的上表面之中的所述第三金属层的外侧部分的区域。
4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述第一金属层包含金，
所述第三金属层包含钯，并且
所述形成第四金属层的工序为通过化学镀处理形成包含镍的所述第四金属层的工序。
5.如权利要求1～权利要求4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述覆盖膜的焊料润湿性比所述第二金属层的焊料润湿性低。
6.如权利要求1～权利要求5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述形成覆盖膜的工序为形成覆盖从所述树脂膜的上表面到所述第二金属层的上表面的区域的所述覆盖膜的工序。
7.如权利要求1～权利要求6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述进行热处理的工序中的温度为焊料的熔点以上。
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