[发明专利]一种芯片厚度减薄的方法

说明书

本发明公开了一种芯片厚度减薄的方法，涉及半导体技术领域，提供一载板及一待处理芯片，载板上开设有尺寸大于所述待处理芯片的凹槽；将待处理芯片放入凹槽的中心位置，并使待处理芯片的正面与凹槽底面贴合；将石蜡熔化形成溶体，然后注入待处理芯片四周的凹槽中，冷却凝固；采用背面轨道式腐蚀机利用腐蚀溶液对所述待处理芯片的背面进行腐蚀，得到减薄芯片；然后用非极性溶剂将石蜡溶解，再用去离子水冲洗，将减薄芯片表面的水迹吹干即可。本发明减薄过程简单稳定，减薄后待处理芯片表面光滑平整，能够避免机械减薄对待处理芯片的冲击，使芯片减薄过程不会破碎现象，减薄打磨过程中不会产生硅粉末，能够提高芯片减薄加工效率和质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片厚度减薄的方法。

背景技术

近年来，随着网络技术的发展，要求电子设备及仪器功能多、可靠性高、体积小、便于携带，对器件外形尺寸要求越来越小。器件外形尺寸的微型化要求、封装结构形式的改进、以及为降低热阻，提高芯片的散热能力等诸方面的发展与进步。都相应的要求封装所用的芯片越来越薄，质量越来越高。在许多新兴半导体制造领域内，都需要超薄芯片(芯片厚度小于100um)。在这些领域中，芯片超薄化的发展趋势是很明显的。

现有的芯片减薄方法多为机械磨削，即使用减薄机或抛光机进行减薄，减薄厚度受设备制约很大，常规减薄机或磨削机最多将芯片减薄到200um，且存在碎片率高情况，TTV不受控情况，薄片量产加工困难。此外，在芯片减薄过程中，除了常见的芯片破碎等风险外，还有减薄打磨过程中产生的的硅粉末(Sidust)会带入芯片中的问题，而一旦硅粉末进入芯片中比较深的地方，后续的清洗很难完全清除掉，特别是小颗粒很难清洗干净，不仅影响测试良率，而且要用大量的水进行清洗，严重影响芯片减薄加工效率和质量。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种芯片厚度减薄的方法，使芯片减薄过程不会破碎现象，并能避免减薄打磨过程中产生硅粉末，防止硅粉末被带入芯片中污染芯片，提高芯片减薄加工效率和质量。

本发明通过以下技术手段解决上述技术问题：

一种芯片厚度减薄的方法，包括以下步骤：

S1、提供一载板及一待处理芯片，载板上开设有尺寸大于待处理芯片的凹槽；

S2、将待处理芯片放入凹槽的中心位置，并使待处理芯片的正面与凹槽底面贴合；

S3、将石蜡熔化形成溶体，然后注入待处理芯片四周的凹槽中，冷却凝固形成石蜡层；

S4、采用背面轨道式腐蚀机利用腐蚀溶液对待处理芯片的背面进行腐蚀，得到减薄芯片；

S5、取出减薄芯片，浸入非极性溶剂将残留在减薄芯片上的石蜡溶解，再用去离子水冲洗，去除减薄芯片上残留的非极性溶剂，然后使用微型热风机将减薄芯片表面的水迹吹干即可。

本发明通过将待处理芯片的正面用石蜡封存在载板上的凹槽中，再通过化学腐蚀的方式减薄芯片背面，减薄完成后通过非极性溶剂将石蜡溶解除去即可。整个减薄过程简单稳定，减薄后待处理芯片表面光滑平整，能够避免机械减薄对待处理芯片的冲击，使芯片减薄过程不会破碎现象，并能避免减薄打磨过程中产生硅粉末，防止硅粉末被带入芯片中污染芯片，提高芯片减薄加工效率和质量。

进一步，载板上凹槽的深度为60～150μm。

进一步，载板由底板和多块回型板构成，底板的四个角落上设置有定位柱，回型板的四个角落上设有与定位柱相匹配的通孔，多块回型板通过通孔与定位柱的配合叠层在底板上。此种载板可根据待处理芯片需减薄厚度进行调节凹槽的深度，使用灵活性更强，在保证将待处理芯片正面完全密封的情况下，将需要减薄出去的厚度层露出石蜡层，保证待处理芯片边缘的正常腐蚀。