[发明专利]倒装光陷阱叠层结构的太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装光陷阱叠层结构的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括基板、键合层、p-GaAs欧姆接触层、多结叠层电池层、n-AlGaInP层、n-GaAs欧姆接触层、N型电极和P型电极，所述键合层、所述p-GaAs欧姆接触层、所述多结叠层电池层、所述n-AlGaInP层和所述n-GaAs欧姆接触层依次层叠在所述基板上，所述n-AlGaInP层上设有延伸至所述p-GaAs欧姆接触层的环形槽，所述P型电极设置在所述环形槽内的所述p-GaAs欧姆接触层上，所述N型电极设置在所述n-GaAs欧姆接触层上，且所述N型电极在所述n-AlGaInP层上的正投影与所述n-GaAs欧姆接触层在所述n-AlGaInP层上的正投影重合，其特征在于，

所述太阳能电池还包括减反射膜层，所述减反射膜层铺设在所述环形槽内除所述P型电极设置区域之外的所有区域、以及所述n-AlGaInP层上除所述n-GaAs欧姆接触层的设置区域之外的所有区域上，所述减反射膜层包括依次层叠的TiO₂子层、Al₂O₃子层和MgF₂子层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述减反射膜层中每个子层的厚度均为10～100nm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述n-AlGaInP层的与所述减反射膜层接触的一面具有粗化结构，所述粗化结构包括多个间隔设置的金字塔状的凸起。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述键合层包括层叠设置的第一键合层和第二键合层，所述第一键合层与所述基板接触，所述第二键合层与所述p-GaAs欧姆接触层接触；

所述第一键合层为MgF₂/IZO/Au/Ti/Pt/Au复合结构，所述第二键合层为Ti/Pt/Au复合结构，且所述第一键合层中的Au层与所述第二键合层中的Au层接触。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一键合层中的MgF₂层的厚度为50～450nm，IZO层的厚度为50～450nm，Au层的厚度为50～450nm。

6.根据权利要求1至5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述多结叠层电池层包括依次层叠的第一子电池层、第二子电池层、第三子电池层、第四子电池层和第五子电池层，各子电池层之间通过遂穿结连接；

所述第一子电池层为AlGaInP层，所述第二子电池层为AlGaAs层，所述第三子电池层为GaAs层，所述第四子电池层为GaInAsP层，所述第五子电池层为GaInAs层，所述遂穿结为GaAs/AlGaAs结构。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述多结叠层电池层中每个子电池层的厚度均为0.5～3μm。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述多结叠层电池层中任意相邻两个子电池层之间的隧穿结的厚度均为30～80nm。