[发明专利]基板处理方法及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其包括：

向腔室内提供具备包含硅氧化膜的含硅膜和在所述含硅膜上具有掩模的基板的工序；

将载置所述基板的基板支撑体的温度控制为0℃以下的工序；以及

通过从第1处理气体生成的等离子体来对所述含硅膜进行蚀刻的工序，所述第1处理气体包含氟化氢气体以及选自氟碳化物气体及氢氟碳化物气体中的至少一种含碳气体，

在除了不活泼气体以外的所述第1处理气体中，所述氟化氢气体的流量最多。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述氟化氢气体的流量相对于除了不活泼气体以外的所述第1处理气体的总流量为70体积％以上。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述氟碳化物气体为选自CF₄、C₂F₂、C₂F₄、C₃F₈、C₄F₆、C₄F₈及C₅F₈中的至少一种。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述氟碳化物气体为C₄F₈气体。

5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述氢氟碳化物气体为选自CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、C₂HF₅、C₂H₂F₄、C₂H₃F₃、C₂H₄F₂、C₃HF₇、C₃H₂F₂、C₃H₂F₆、C₃H₂F₄、C₃H₃F₅、C₄H₅F₅、C₄H₂F₆、C₅H₂F₁₀、c-C₅H₃F₇及C₃H₂F₄中的至少一种。

6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述氢氟碳化物气体为选自C₃H₂F₄气体及C₄H₂F₆气体中的至少一种。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理方法，其中，所述第1处理气体还包含选自含氧气体及含卤素气体中的至少一种。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，其中，所述第1处理气体还包含选自含磷气体、含硫气体及含硼气体中的至少一种。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理方法，其中，所述氟化氢气体的流量相对于除了所述不活泼气体以外的所述第1处理气体的总流量为96体积％以下。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理方法，其中，所述含硅膜为选自硅氧化膜、包含硅氧化膜及硅氮化膜的层叠膜以及包含硅氧化膜及多晶硅膜的层叠膜中的至少一种。