[发明专利]布拉格光栅芯片

权利要求书

1.一种布拉格光栅芯片，其特征在于，包括基板、设置在所述基板上的二氧化硅层、设置在所述二氧化硅层上的波导、以及设置在所述波导侧面且用以分布式反射光线的点阵光栅，所述点阵光栅和至少部分所述波导相离设置。

2.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述波导为脊型波导，所述脊型波导包括平板层和形成在平板层上的中心脊，所述点阵光栅形成在所述平板层上且与所述中心脊相离设置。

3.如权利要求2所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述脊型波导的中心脊为矩形、梯形或两者的组合。

4.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述波导为矩形波导或梯型波导，所述点阵光栅形成在所述二氧化硅层上，所述波导和所述点阵光栅相离设置。

5.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述点阵光栅和所述波导平行设置。

6.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述点阵光栅包括若干相离排布的光栅点，所述光栅点的形状为圆柱形、棱柱形、圆台形、及棱台形中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述点阵光栅设置在所述波导的至少一侧面。

8.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述波导和所述点阵光栅的材料为铌酸锂、硅或氮化硅材料。

9.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述点阵光栅为均匀光栅或非均匀光栅。

10.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述布拉格光栅芯片还包括设置在所述波导和所述点阵光栅上的包层，所述包层的材料为二氧化硅、氮化硅或二氧化钛。

11.如权利要求10所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述布拉格光栅芯片还包括设置在所述包层上的金属电极，所述金属电极通电得到中心波长可调谐的布拉格光栅芯片。

12.如权利要求11所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述波导中掺杂入P型和N型杂质，所述金属电极通电得到中心波长可调谐的布拉格光栅芯片。

13.如权利要求10所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述布拉格光栅芯片还包括设置在所述二氧化硅层或包层上的加热层，加热所述加热层得到中心波长可调谐的布拉格光栅芯片。