[发明专利]一种具有温度和成分检测功能的碳化硅单晶生长装置

权利要求书

1.一种具有温度和成分检测功能的碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚和加热装置，其特征在于，还包括测温管和气体检测管，所述测温管包括第一测温管和第二测温管；所述第一测温管和所述气体检测管均位于所述石墨坩埚上部，所述第二测温管位于所述石墨坩埚的下部，所述第一测温管的后端部穿过所述石墨坩埚的上盖连接有第一测温控制台，所述第二测温管的后端部穿过所述石墨坩埚的底部连接有第二测温控制台，所述气体检测管的后端部穿过所述石墨坩埚的上盖连接有气体成分分析控制台；所述第二测温管的后端部穿过所述石墨坩埚的底部还连接有气体冷却系统；

所述第一测温管和所述气体检测管的后端部均穿过所述石墨坩埚的上盖连接有第一驱动装置，所述第一驱动装置带动所述第一测温管和所述气体检测管在所述石墨坩埚内部单独或同时上下移动；

所述第二测温管的后端部穿过所述石墨坩埚的底部连接有第二驱动装置；

所述气体检测管的外层设有隔热保护管，所述气体检测管的内部设有相互独立的气道，所述气体检测管的前端部设有独立的气室，每一个所述气室设有对应的抽气口，每一个所述气室对应与一条所述气道相通，并与所述气体成分控制分析台相连；

所述气体检测管为L形结构，所述L形管体的水平段长度不低于所述石墨坩埚的半径，所述L形管体的水平段设有多个等距离分布的气室，任意两个相邻的所述气室的抽气口均设有不同的开口朝向。

2.如权利要求1所述的一种具有温度和成分检测功能的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第一测温管和第二测温管的前端部设有高纯石墨封闭块；所述第一测温管包括中空第一内管，以及位于第一内管外部的第一隔热层和第二隔热层，所述第二隔热层与所述第一内管外壁相贴，所述第二隔热层的长度与所述第一内管一致，所述第一隔热层的长度比所述第二隔热层少5-10 mm；第二测温管包括中空第二内管，以及位于第二内管外部的第三隔热层和第四隔热层，所述第四隔热层与所述第二内管外壁相贴，所述第四隔热层的长度与所述第二内管一致，所述第三隔热层的长度比所述第四隔热层少5-10 mm。

3.如权利要求2所述的一种具有温度和成分检测功能的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述中空第一内管和中空第二内管中放置有钨铼热电偶，所述钨铼热电偶的前端部与所述封闭块接触。

4.如权利要求2所述的一种具有温度和成分检测功能的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述中空第一内管和中空第二内管的后端放置有红外线测温探测头，所述红外线测温探测头正对所述封闭块。

5.如权利要求2所述的一种具有温度和成分检测功能的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第一测温管的所述第一隔热层和第二隔热层之间相互紧贴；所述第二测温管的所述第三隔热层和第四隔热层之间还设有换热气管，所述相邻换热气管之间相互连通，所述换热气管至少有一个进气口和一个出气口，所述换热气管的内部通有惰性气体。

6.如权利要求5所述的一种具有温度和成分检测功能的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述换热气管的进气口和出气口均与所述气体冷却系统相连，经过所述气体冷却系统降温的惰性气体从所述进气口进入所述换热气管，在经过换热气管热量后，从所述出气口进入所述气体冷却系统。