[发明专利]一种光学相控阵及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110432630.6 申请日: 2021-04-21
公开(公告)号: CN113176694A 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 颜鑫;付天阳;张霞 申请(专利权)人: 北京邮电大学
主分类号: G02F1/29 分类号: G02F1/29;G02B27/28;G02B5/18
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 苗晓静
地址: 100876 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 光学 相控阵 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种光学相控阵,其特征在于,包括:衬底层、偏振分束器、至少两个功率分束器以及多个无源相差产生结构;

其中,所述偏振分束器与至少两个功率分束器连接,每个功率分束器分别与多个无源相差产生结构连接,且所述偏振分束器、功率分束器以及无源相差产生结构均刻蚀于衬底层上。

2.根据权利要求1所述的光学相控阵,其特征在于,所述衬底层由二氧化硅SiO2绝缘层和附着于绝缘层之上的一层硅层Si构成;

其中,所述绝缘层厚度为2~3.5μm,尺寸小于50×50μm2,硅层厚度为150~290nm。

3.根据权利要求2所述的光学相控阵,其特征在于,所述偏振分束器和功率分束器均刻蚀于所述衬底层的硅层之上,且所述偏振分束器的尺寸为2μm×2μm,厚度为150~290nm,所述功率分束器的尺寸为3μm×3μm,厚度为150~290nm。

4.根据权利要求2所述的光学相控阵,其特征在于,所述无源相差产生结构刻蚀于所述衬底层的硅层之上,且每个厚度为150~290nm,尺寸为2.5μm×2.5μm。

5.根据权利要求1所述的光学相控阵,其特征在于,还包括:多个随机光栅;所述多个随机光栅刻蚀于衬底层上,且一个无源相差产生结构连接多个串连连接的随机光栅,所述随机光栅的周期为0.670~1.000μm。

6.根据权利要求5所述的光学相控阵,其特征在于,相邻两个随机光栅的间距为1.30~3.0μm。

7.一种光学相控阵的制备方法,其特征在于,包括:

制备衬底层;

在所述衬底层上方刻蚀一个偏振分束器、至少两个功率分束器以及多个无源相差产生结构;

其中,将偏振分束器与至少两个功率分束器连接,将每个功率分束器分别与多个无源相差产生结构连接。

8.根据权利要求7所述的光学相控阵的制备方法,其特征在于,还包括:

在所述衬底层上方刻蚀多个随机光栅,并将一个无源相差产生结构连接多个串连连接的随机光栅。

9.根据权利要求7所述的光学相控阵的制备方法,其特征在于,根据逆向方法,设计偏振分束器、功率分束器和无源相差产生结构的像素结构;所述像素结构由多个子像素组成。

10.根据权利要求9所述的光学相控阵的制备方法,其特征在于,所述逆向方法为:

基于粒子群优化算法PSO确定各个子像素的组成成分;

根据所述各个子像素的组成成分确定像素结构。

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