[发明专利]一种光学相控阵及其制备方法在审
申请号: | 202110432630.6 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN113176694A | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 颜鑫;付天阳;张霞 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
主分类号: | G02F1/29 | 分类号: | G02F1/29;G02B27/28;G02B5/18 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 苗晓静 |
地址: | 100876 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 相控阵 及其 制备 方法 | ||
1.一种光学相控阵,其特征在于,包括:衬底层、偏振分束器、至少两个功率分束器以及多个无源相差产生结构;
其中,所述偏振分束器与至少两个功率分束器连接,每个功率分束器分别与多个无源相差产生结构连接,且所述偏振分束器、功率分束器以及无源相差产生结构均刻蚀于衬底层上。
2.根据权利要求1所述的光学相控阵,其特征在于,所述衬底层由二氧化硅SiO2绝缘层和附着于绝缘层之上的一层硅层Si构成;
其中,所述绝缘层厚度为2~3.5μm,尺寸小于50×50μm2,硅层厚度为150~290nm。
3.根据权利要求2所述的光学相控阵,其特征在于,所述偏振分束器和功率分束器均刻蚀于所述衬底层的硅层之上,且所述偏振分束器的尺寸为2μm×2μm,厚度为150~290nm,所述功率分束器的尺寸为3μm×3μm,厚度为150~290nm。
4.根据权利要求2所述的光学相控阵,其特征在于,所述无源相差产生结构刻蚀于所述衬底层的硅层之上,且每个厚度为150~290nm,尺寸为2.5μm×2.5μm。
5.根据权利要求1所述的光学相控阵,其特征在于,还包括:多个随机光栅;所述多个随机光栅刻蚀于衬底层上,且一个无源相差产生结构连接多个串连连接的随机光栅,所述随机光栅的周期为0.670~1.000μm。
6.根据权利要求5所述的光学相控阵,其特征在于,相邻两个随机光栅的间距为1.30~3.0μm。
7.一种光学相控阵的制备方法,其特征在于,包括:
制备衬底层;
在所述衬底层上方刻蚀一个偏振分束器、至少两个功率分束器以及多个无源相差产生结构;
其中,将偏振分束器与至少两个功率分束器连接,将每个功率分束器分别与多个无源相差产生结构连接。
8.根据权利要求7所述的光学相控阵的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述衬底层上方刻蚀多个随机光栅,并将一个无源相差产生结构连接多个串连连接的随机光栅。
9.根据权利要求7所述的光学相控阵的制备方法,其特征在于,根据逆向方法,设计偏振分束器、功率分束器和无源相差产生结构的像素结构;所述像素结构由多个子像素组成。
10.根据权利要求9所述的光学相控阵的制备方法,其特征在于,所述逆向方法为:
基于粒子群优化算法PSO确定各个子像素的组成成分;
根据所述各个子像素的组成成分确定像素结构。
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