[发明专利]电子级正硅酸乙酯的制备装置及制备方法

权利要求书

1.一种电子级正硅酸乙酯的制备装置，其特征在于，包括：

工业级正硅酸乙酯供应单元(10)，用于提供工业级正硅酸乙酯；

多级微孔膜耦合吸附柱(20)，所述微孔膜耦合吸附柱(20)包括柱状中空壳体，所述柱状中空壳体中填充有螯合吸附树脂，所述中空壳体的两端设置有微孔膜；各级所述微孔膜耦合吸附柱(20)按物料流动顺序串联和/或并联设置，且位于第一级的所述微孔膜耦合吸附柱(20)的进口与所述工业级正硅酸乙酯供应单元(10)相连；

脱轻精馏塔(30)，具有脱轻塔进口(301)、脱轻塔顶出口(302)和脱轻塔釜出口(303)，其中所述脱轻塔进口(301)与最末级的所述微孔膜耦合吸附柱(20)的出口相连；

脱重精馏塔(40)，具有脱重塔进口(401)、塔顶电子级正硅酸乙酯出口(402)及脱重塔釜出口(403)，其中所述脱重塔进口(401)与所述脱轻塔釜出口(303)相连。

2.根据权利要求1所述的电子级正硅酸乙酯的制备装置，其特征在于，所述螯合吸附树脂为聚苯乙烯大孔亚氨基二乙酸螯合树脂、聚苯乙烯与二乙烯大孔氨基膦酸螯合树脂、磺化的苯乙烯-二乙烯基树脂的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的电子级正硅酸乙酯的制备装置，其特征在于，按物料流动顺序，相邻两级所述微孔膜耦合吸附柱(20)中，位于上游的所述微孔膜耦合吸附柱(20)的微孔膜孔径大于位于下游的所述微孔膜耦合吸附柱(20)的微孔膜孔径。

4.根据权利要求3所述的电子级正硅酸乙酯的制备装置，其特征在于，所述微孔膜耦合吸附柱(20)的微孔膜孔径为0.05～0.5μm。

5.根据权利要求4所述的电子级正硅酸乙酯的制备装置，其特征在于，所述微孔膜耦合吸附柱(20)包括串联设置的两级，且第一级所述微孔膜耦合吸附柱(20)的微孔膜孔径为0.1～0.3μm，第二级所述微孔膜耦合吸附柱(20)的微孔膜孔径为0.05～0.1μm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子级正硅酸乙酯的制备装置，其特征在于，所述微孔膜的厚度为0.2～0.3mm，且所述微孔膜为聚四氟乙烯膜。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的电子级正硅酸乙酯的制备装置，其特征在于，所述微孔膜耦合吸附柱(20)的高径比为5～10。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的电子级正硅酸乙酯的制备装置，其特征在于，所述制备装置还包括：

微孔过滤单元(50)，其包括过滤腔和位于所述过滤腔中的过滤膜，所述过滤膜为孔径0.05～0.1μm的聚四氟乙烯微孔膜，所述过滤腔的进口与所述塔顶电子级正硅酸乙酯出口(402)相连。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的电子级正硅酸乙酯的制备装置，其特征在于，所述脱轻精馏塔(30)和所述脱重精馏塔(40)均为填料塔，且采用的填料为不锈钢θ环填料、三角螺旋填料或玻璃弹簧填料。

10.一种电子级正硅酸乙酯的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

将工业级正硅酸乙酯通过多级微孔膜耦合吸附柱(20)进行吸附除杂，得到初步除杂正硅酸乙酯，其中所述微孔膜耦合吸附柱(20)包括柱状中空壳体，所述柱状中空壳体中填充有螯合吸附树脂，所述中空壳体的两端设置有微孔膜；各级所述微孔膜耦合吸附柱(20)按物料流动顺序串联和/或并联设置；

将所述初步除杂正硅酸乙酯通过脱轻精馏塔(30)进行脱轻除杂，得到二次除杂正硅酸乙酯；

将所述二次除杂正硅酸乙酯通过脱重精馏塔(40)进行脱重除杂，得到所述电子级正硅酸乙酯。

11.根据权利要求10所述的电子级正硅酸乙酯的制备方法，其特征在于，所述螯合吸附树脂为聚苯乙烯大孔亚氨基二乙酸螯合树脂、聚苯乙烯与二乙烯大孔氨基膦酸螯合树脂、磺化的苯乙烯-二乙烯基树脂的一种或多种。