[发明专利]一种高精度过流短路保护线路在审

专利信息
申请号: 202110430920.7 申请日: 2021-04-21
公开(公告)号: CN112993930A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 王勇;齐福淼;王磊;刘玉海;何远;刘永锋 申请(专利权)人: 西安市新雷能电子科技有限责任公司
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08;H02H9/04;H02H1/00
代理公司: 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 代理人: 姬莉
地址: 710000 陕西省西安市高*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 高精度 短路 保护 线路
【说明书】:

发明属于电路技术领域,涉及一种高精度过流短路保护线路,包括浪涌抑制电路,电连接在外接输入端和外接输出端之间;自举电路,其输出端与浪涌抑制电路的驱动电连接;采样电路,其输入端与外接输出端电连接;比较电路,其输入端与采样电路的输出端电连接,比较电路的输出端与逻辑控制电路的输入端电连接;逻辑控制电路,其输出端与浪涌抑制电路的驱动电连接,用于在过流工作状态下将浪涌抑制电路的驱动电压拉低;供电电路,分别和外接输入端、自举电路、采样电路、比较电路和逻辑控制电路电连接,用于保证后级线路的正常供电。本发明有效降低持续性过流、短路时浪涌抑制电路的功耗,提高了产品的可靠性。

技术领域

本发明属于电路技术领域,具体涉及一种高精度过流短路保护线路。

背景技术

传统的过压线性浪涌抑制电路,没有过流、短路保护,当后级模块出现过流时,由于输出电流超过了额定电流,造成模块使用寿命降低;当过流严重时或出现短路状态,流过功率MOSFET管的电流过大,超过功率MOSFET的结温,MOSFET管烧坏,浪涌抑制模块失效,给后级设备造成很大的安全隐患。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种高精度过流短路保护线路,以便解决上述提到的技术问题。

本发明的技术方案是:

一种高精度过流短路保护线路,包括:

浪涌抑制电路,电连接在外接输入端和外接输出端之间;

自举电路,用于在正常工作状态下为所述浪涌抑制电路提供驱动电压,所述自举电路的输出端与所述浪涌抑制电路的驱动电连接;

采样电路,用于提取外接输出端的输出电流信号,并将电流信号转化为电压信号,所述采样电路的输入端与所述外接输出端电连接;

比较电路,用于接收采样电路发送来的电压信号,并将电压信号和基准电压作比较,并将比较的结果送给逻辑控制电路,所述比较电路的输入端与采样电路的输出端电连接,所述比较电路的输出端与逻辑控制电路的输入端电连接;

逻辑控制电路,用于控制浪涌抑制电路的导通和关闭,所述逻辑控制电路的输出端与所述浪涌抑制电路的驱动电连接,用于在过流工作状态下将所述浪涌抑制电路的驱动电压拉低;

供电电路,分别和外接输入端、自举电路、采样电路、比较电路和逻辑控制电路电连接,用于保证后级线路的正常供电。

优选的,所述浪涌抑制电路包括:

至少两个并联的箝位单元,所述箝位单元包括:

第一MOSFET管,所述第一MOSFET管的源极与所述外接输入端电连接,所述第一MOSFET管的漏极与外接输出端电连接,所述第一MOSFET管的栅极与第一电容的一端电连接,所述第一电容的另一端接地,所述第一电容背离接地端的一端与第十七电阻的一端电连接,所述第十七电阻的另一端与所述第一MOSFET管的漏极电连接。

优选的,所述外接输入端与第二电容的一端电连接,所述第二电容的另一端接地;所述外接输出端与第三电容的一端电连接,所述第三电容的另一端接地。

优选的,所述供电电路包括:

第一供电电路,用于为过流保护电路提供稳定的电压,保证过流保护电路持续在线,包括:

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