[发明专利]一种基于耦合谐振的半导体射频单刀单掷开关

权利要求书

1.一种基于耦合谐振的半导体射频单刀单掷开关，其特征在于，包括第一射频端口P1、第二射频端口P2、N个直流端口V_gN、至少N+1个耦合电感和N个谐振单元，N为大于1自然数；N个谐振单元均由晶体管与补偿电感并联构成，其中，晶体管的漏极接地且晶体管的源极电连接补偿电感的一端，或者晶体管的源极接地且晶体管的漏极电连接补偿电感的一端，补偿电感另一端接地；

第一射频端口P1和第二射频端口P2之间电连接有N+1个耦合电感和N个谐振单元，第一射频端口P1和谐振单元之间电连接有一个耦合电感，第二射频端口P2和谐振单元之间电连接有一个耦合电感，谐振单元之间电连接有耦合电感；谐振单元中的晶体管的栅极均电连接直流端口V_gN；

包括级间耦合电感112、第一谐振单元1及第二谐振单元2，第一谐振单元1包括第一补偿电感202和第二补偿电感203，第二谐振单元2包括第三补偿电感302和第四补偿电感303，

第一补偿电感202和第二补偿电感203串联，第一补偿电感202与第二补偿电感203之间连接线并联级间耦合电感112的一端，第三补偿电感302和第四补偿电感303串联，第三补偿电感302和第四补偿电感303之间连接线并联级间耦合电感112的另一端。

2.根据权利要求1所述的一种基于耦合谐振的半导体射频单刀单掷开关，其特征在于，包括第一直流端口V_g1、第二直流端口V_g2、输入耦合电感101、级间耦合电感112、输出耦合电感123、第一谐振单元1及第二谐振单元2；

第一谐振单元1包括第一晶体管201、第一栅极电阻204、第一接地端口GND₁、第二接地端口GND₂、第一补偿电感202和第二补偿电感203，第一射频端口P1、输入耦合电感101、第一补偿电感202、第二补偿电感203和第二接地端口GND₂依次串联，第一栅极电阻204两端分别与第一直流端口V_g1和第一晶体管201的栅极相连；输入耦合电感101与第一补偿电感202连接电线上的任意一点为节点a，第一晶体管201的漏极与第一接地端口GND₁相连且第一晶体管201的源极与节点a相连，或者第一晶体管201的源极与第一接地端口GND₁相连且第一晶体管201的漏极与节点a相连；第一补偿电感202与第二补偿电感203之间连接线并联级间耦合电感112的一端；

第二谐振单元2包括第二晶体管301、第二栅极电阻304、第三接地端口GND₃、第四接地端口GND₄、第三补偿电感302和第四补偿电感303，第二射频端口P2、输出耦合电感123、第三补偿电感302、第四补偿电感303和第四接地端口GND₄依次串联，第二栅极电阻304两端分别与第二直流端口V_g2和第二晶体管301的栅极相连；输出耦合电感123与第三补偿电感302的连接电线上的任意一点为节点b，第二晶体管301的漏极与第三接地端口GND₃相连且第二晶体管301源极与节点b相连，或者第二晶体管301源极与第三接地端口GND₃相连且第二晶体管301的漏极与节点b相连；第三补偿电感302和第四补偿电感303之间连接线并联级间耦合电感112的另一端。