[发明专利]一种钼酸根-温磁性智能多孔印迹聚合物的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110429876.8 申请日: 2021-04-21
公开(公告)号: CN113105591B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 陈振斌;火婷;柳春丽;陈正灿;李慧 申请(专利权)人: 兰州理工大学
主分类号: C08F285/00 分类号: C08F285/00;C08F222/14;C08F220/58;C08F220/06;C08J9/28;B01J20/26;B01J20/30;C08L51/00
代理公司: 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 代理人: 曹向东
地址: 730050 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 钼酸 磁性 智能 多孔 印迹 聚合物 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种钼酸根-温磁性智能多孔印迹聚合物的制备方法,包括以下步骤:

⑴在二氯甲烷中依次加入四氧化三铁@聚多巴胺纳米粒子、2-甲基-2(十二烷基三硫代碳酸酯)丙酸、4-二甲氨基吡啶,于冰浴下通入纯度为99.999%的N2 40分钟;随后滴加二环已基碳二亚胺-二氯甲烷混合溶液,再次通入N2 20~30分钟后密封;经搅拌反应后利用磁铁将产物分离,即得改性的四氧化三铁@聚多巴胺;所述四氧化三铁@聚多巴胺纳米粒子与所述2-甲基-2(十二烷基三硫代碳酸酯)丙酸的质量比为0.25~ 1.00:0.13~ 0.50;所述四氧化三铁@聚多巴胺纳米粒子与所述4-二甲氨基吡啶的质量比为0.5~2:1;所述四氧化三铁@聚多巴胺纳米粒子与所述二环已基碳二亚胺-二氯甲烷混合溶液的质量体积比为0.5~2:1;

⑵在质量百分数为10%的1,4-二氧六环溶液中依次加入所述改性的四氧化三铁@聚多巴胺、N,N-二乙基双丙烯酰胺,于70℃油浴中搅拌,迅速通入纯度为99.999 %的N2 20分钟后加入偶氮二异丁腈,搅拌反应后经分离、干燥,即得温磁性固体粒子四氧化三铁@聚多巴胺-g-聚N,N-二乙基双丙烯酰胺;所述改性的四氧化三铁@聚多巴胺、所述N,N-二乙基双丙烯酰胺、所述偶氮二异丁腈的质量比为1:10~25:0.01~0.25;所述改性的四氧化三铁@聚多巴胺与所述1,4-二氧六环溶液的质量体积比为1:100~300;

⑶将N-羟甲基丙烯酰胺、甲基丙烯酸、钼酸铵溶于水中,得到100~300 g/L的混合液;所述混合液中先加入所述温磁性固体粒子超声分散10分钟,然后搅拌条件下滴加乳化剂OP-10至溶液变粘稠,再依次滴加玉米油、二甲基丙烯酸乙二醇酯,搅拌均匀后,即得类粒子稳定的高内相乳液;所述N-羟甲基丙烯酰胺、所述甲基丙烯酸、所述钼酸铵的质量比为1:0.5~2:0.1~0.5;所述温磁性固体粒子与所述混合液的质量体积比为1:100~250;所述温磁性固体粒子与所述二甲基丙烯酸乙二醇酯的质量比为1:20~50;所述混合液与所述玉米油的体积比为1:1.2~3;

⑷在所述类粒子稳定的高内相乳液中依次加入过硫酸铵和N,N,N,N-四甲基乙二胺,反应后除去油相和模板离子,经干燥至恒重,即得目标产物钼酸根-温磁性智能多孔印迹聚合物;所述类粒子稳定的高内相乳液、所述过硫酸铵、所述N,N,N,N-四甲基乙二胺的质量比为10:0.01~0.08:0.01~0.08。

2.如权利要求1所述的一种钼酸根-温磁性智能多孔印迹聚合物的制备方法,其特征在于:所述步骤⑴中四氧化三铁@聚多巴胺纳米粒子按下述方法制得:在75.00~300.00 mL的10.0 mM pH=8.5三(羟甲基)氨基甲烷-盐酸缓冲溶液中加入1.50~6.00g四氧化三铁进行超声分散,15min后再加入0.10~0.40g多巴胺,经70℃搅拌24小时,反应物经洗涤、烘干即得。

3.如权利要求2所述的一种钼酸根-温磁性智能多孔印迹聚合物的制备方法,其特征在于:所述三(羟甲基)氨基甲烷-盐酸缓冲溶液是指在1.2 g摩尔质量为121.14 g/mol的三(羟甲基)氨基甲烷中加入950.00 mL蒸馏水至完全溶解,然后滴加体积浓度为37%的盐酸调节pH值至8.6,最后加蒸馏水定容至1000 mL,即得10.0 mM pH=8.5的三(羟甲基)氨基甲烷-盐酸缓冲溶液。

4.如权利要求1所述的一种钼酸根-温磁性智能多孔印迹聚合物的制备方法,其特征在于:所述步骤⑴中搅拌反应的条件是指温度为50~80℃,转速为500~2000 r/min,时间为12~72 h。

5.如权利要求1所述的一种钼酸根-温磁性智能多孔印迹聚合物的制备方法,其特征在于:所述步骤⑴中二环已基碳二亚胺-二氯甲烷混合溶液是指在100 mL二氯甲烷中加入2~10 g 二环已基碳二亚胺,混合均匀所得的溶液。

6.如权利要求1所述的一种钼酸根-温磁性智能多孔印迹聚合物的制备方法,其特征在于:所述步骤⑵中搅拌反应的条件是指温度为30~80℃,转速为500~2000 r/min,时间为24~72 h。

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