[发明专利]一种用于去除光学元件表面亚表层损伤的抛光方法在审

专利信息
申请号: 202110429742.6 申请日: 2021-04-21
公开(公告)号: CN113070742A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 裴宁;王大森;聂凤明;张旭;李晓静;夏超翔;郭海林;刘敏;周静;李维杰 申请(专利权)人: 中国兵器科学研究院宁波分院
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00;B24B13/00
代理公司: 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 代理人: 袁忠卫;张艳鹏
地址: 315103 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 去除 光学 元件 表面 表层 损伤 抛光 方法
【权利要求书】:

1.一种用于去除光学元件表面亚表层损伤的抛光方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤一:对光学元件进行古典抛光;

步骤二:对经过古典抛光的光学元件进行真空等离子体抛光。

2.根据权利要求1所述的,其特征在于:所述步骤一中,包括如下步骤:

(1.1)先将光学元件进行预抛光;

(1.2)对光学元件加压到4~8Mpa,机床主轴转速控制在30~40rpm;

(1.3)对抛光模预热;

(1.4)在抛光模上加入抛光液;

(1.5)开始抛光60~90min。

3.根据权利要求1或2所述的用于去除光学元件表面亚表层损伤的抛光方法,其特征在于:所述步骤二中,包括如下步骤:

(2.1)开启真空室,放入经过古典抛光的光学元件,然后将真空室抽至本底压强;

(2.2)向等离子体源中充入工艺气体,所述工艺气体为Ar气、氧气以及SF6气体;

(2.3)将真空室的压强维持在工作压强20~40Pa;

(2.4)打开射频电源,频率在80~100MHz;

(2.5)开始抛光20~30min;

(2.6)抛光结束后,停止充入工艺气体,将真空室抽至本底压强;

(2.7)打开真空室,取出加工好的光学元件;

(2.8)将真空室抽至0~5Pa状态。

4.根据权利要求2所述的用于去除光学元件表面亚表层损伤的抛光方法,其特征在于:所述步骤(1.1)中,预抛光方法为:先将极性溶剂涂覆在光学元件表面,然后将光学元件置于甩胶机上转动后,再用去离子水冲洗光学元件5~10min。

5.根据权利要求4所述的用于去除光学元件表面亚表层损伤的抛光方法,其特征在于:所述极性溶剂为甲醚或乙二醇。

6.根据权利要求2所述的用于去除光学元件表面亚表层损伤的抛光方法,其特征在于:所述步骤(1.3)中,抛光模预热的方法为:将抛光模放入温水中4~5min。

7.根据权利要求2所述的用于去除光学元件表面亚表层损伤的抛光方法,其特征在于:所述步骤(1.4)中,所述抛光液为浓度为30%~50%的三乙醇胺溶液。

8.根据权利要求3所述的用于去除光学元件表面亚表层损伤的抛光方法,其特征在于:所述步骤(2.2)中,Ar及O2流量均为50sccm,SF6流量为10sccm。

9.根据权利要求2所述的用于去除光学元件表面亚表层损伤的抛光方法,其特征在于:在所述步骤(1.1)中,在进行预抛光之前,先通过磨片对光学元件进行打磨,并在打磨过程中加入水溶性冷却液进行冷却、清洗和润滑。

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