[发明专利]抗银迁移、抗硫化银电极浆料及其制备方法有效
申请号: | 202110428104.2 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN112992403B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 徐小艳;张琳;赵科良;吴高鹏;张建益;王要东;肖雄;曾艳艳 | 申请(专利权)人: | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 |
主分类号: | H01B1/16 | 分类号: | H01B1/16;H01B1/22;H01B13/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 辛元石;韦东 |
地址: | 710065 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 迁移 硫化 电极 浆料 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种抗银迁移、抗硫化银电极浆料及其制备方法。本发明的银电极浆料包括银包钯粉、玻璃粉、玻璃碳和有机载体,所述银包钯粉为表面包覆了纳米级钯粉的银粉,所述银电极浆料中,银粉含量为65 wt%~80 wt%,纳米级钯粉含量为0.3 wt%~1 wt%,玻璃粉含量为2.5 wt%~6 wt%,玻璃碳含量为1 wt%~2 wt%,有机载体含量为15 wt%~30 wt%。本发明的银电极浆料具有较强的抗银迁移能力和抗硫化能力。
技术领域
本发明属于片式电阻器用银电极浆料领域,具体涉及抗银迁移、抗硫化银电极浆料及其制备方法。
背景技术
片式电阻器亦称表面贴装电阻器,是适用于表面贴装技术(SMT)的新一代微型电子元件。片式电阻器可应用于手机、家电、通信设备、汽车电子、LED等多种领域,在全球的销售量每年都在快速增长。
片式电阻正面电极浆料中的导电相主要是银粉,而银是所有导电金属中最易发生迁移、且迁移速率最高的金属。随着民用电子产品的小型化,贴片电阻尺寸越来越小,在电镀的过程中,在电镀液为酸性、湿热环境以及通电流的条件下,电极中的银容易扩散到电阻中,导致电阻在实际应用中出现失效现象。同时电子元器件经过长期使用后,银镀层、银电极使用的金属银会在绝缘物电阻元器件上发生迁移,导致绝缘不良现象,形成短路,破坏电路系统。因此抑制电极浆料的银迁移,是片式电阻导体浆料生产的一项重要项目。
此外,随着工业社会的发展,空气中的含硫气体日益增加,加上空气中各种挥发性的硫化物等污染物的侵蚀,片式电阻器银电极表面容易受到硫化影响而发暗变色,产生硫化银,导致电极脱落,电阻失效,进而可能导致电路失效。因此制备出一种能够有效抗硫化的银电极浆料迫在眉睫。
因此,本领域需要一种能够抗银迁移、抗硫化的银电极浆料。
发明内容
针对片式电阻存在的正面银电极易发生“银迁移”和被硫化的问题,本发明提供一种能够抗银迁移、抗硫化的银电极浆料及其制备方法,能有效抑制片式电阻正面银电极的银迁移和硫化现象。
具体而言,本发明提供一种银电极浆料,所述银电极浆料包含钯包银粉、玻璃粉、玻璃碳和有机载体,所述钯包银粉为外表面包覆了纳米级钯粉的银粉。
在一个或多个实施方案中,所述银电极浆料中,银粉含量为65 wt%~80 wt%,纳米级钯粉含量为0.3 wt%~1 wt%,玻璃粉含量为2.5 wt%~6 wt%,玻璃碳含量为1 wt%~2wt%,有机载体含量为15 wt%~30 wt%。
在一个或多个实施方案中,所述纳米级钯粉的粒度为10~30 nm。
在一个或多个实施方案中,所述银粉的粒度为1~7 μm。
在一个或多个实施方案中,所述玻璃碳的粒度为1~5 μm。
在一个或多个实施方案中,所述玻璃粉为Si-Ga-Al-Zn-B玻璃粉,以玻璃粉原料总质量计,所述玻璃粉的原料包含20 wt%~35wt%的SiO2、35 wt%~50wt%的GaO、10 wt%~15wt%的Al2O3、10 wt%~13 wt%的ZnO和7 wt%~10 wt%的B2O3。
在一个或多个实施方案中,所述有机载体包含有机树脂和有机溶剂。
在一个或多个实施方案中,所述有机树脂为乙基纤维素。
在一个或多个实施方案中,所述有机溶剂包括松油醇、二乙二醇丁醚和二乙二醇丁醚醋酸酯中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安宏星电子浆料科技股份有限公司,未经西安宏星电子浆料科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110428104.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体设备L型真空阀门
- 下一篇:一种具有切换功能的植物组织培养装置