[发明专利]一种比较器

权利要求书

1.一种比较器，其特征在于，所述比较器包括：

输入对管，包括正端输入管及负端输入管，用于输入待比较的正端信号及负端信号；

迟滞控制模块，连接所述正端输入管的源极及所述负端输入管的源极，用于在所述输入对管为NMOS管时，通过对所述正端输入管的源极或所述负端输入管的源极注入设定电流来控制迟滞电压；在所述输入对管为PMOS管时，通过对所述正端输入管的源极或所述负端输入管的源极抽取设定电流来控制迟滞电压；

所述比较器还包括：负载模块及电流偏置模块；在所述输入对管为NMOS管时，所述负载模块连接于电源电压和所述输入对管的漏极之间，所述电流偏置模块连接于所述输入对管的源极和地之间；在所述输入对管为PMOS管时，所述负载模块连接于所述输入对管的漏极和地之间，所述电流偏置模块连接于电源电压和所述输入对管的源极之间；其中，

在所述输入对管为NMOS管时，所述负载模块包括：第一PMOS负载管及第二PMOS负载管，所述第一PMOS负载管的源极及所述第二PMOS负载管的源极均连接电源电压，所述第一PMOS负载管的漏极连接其栅极及所述正端输入管的漏极，所述第一PMOS负载管的栅极连接所述第二PMOS负载管的栅极，所述第二PMOS负载管的漏极连接所述负端输入管的漏极；所述电流偏置模块包括：第一NMOS电流偏置管及第二NMOS电流偏置管，所述第一NMOS电流偏置管的源极及所述第二NMOS电流偏置管的源极均接地，所述第一NMOS电流偏置管的漏极连接所述正端输入管的源极，所述第一NMOS电流偏置管的栅极连接所述第二NMOS电流偏置管的栅极并连接偏置电压，所述第二NMOS电流偏置管的漏极连接所述负端输入管的源极；

在所述输入对管为PMOS管时，所述负载模块包括：第一NMOS负载管及第二NMOS负载管，所述第一NMOS负载管的源极及所述第二NMOS负载管的源极均接地，所述第一NMOS负载管的漏极连接其栅极及所述正端输入管的漏极，所述第一NMOS负载管的栅极连接所述第二NMOS负载管的栅极，所述第二NMOS负载管的漏极连接所述负端输入管的漏极；所述电流偏置模块包括：第一PMOS电流偏置管及第二PMOS电流偏置管，所述第一PMOS电流偏置管的源极及所述第二PMOS电流偏置管的源极均连接电源电压，所述第一PMOS电流偏置管的漏极连接所述正端输入管的源极，所述第一PMOS电流偏置管的栅极连接所述第二PMOS电流偏置管的栅极并连接偏置电压，所述第二PMOS电流偏置管的漏极连接所述负端输入管的源极。

2.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述迟滞控制模块包括：选通开关及调控电阻，所述选通开关的第一连接端连接所述正端输入管的源极，所述选通开关的第二连接端连接所述负端输入管的源极，所述选通开关的第三连接端连接设定电流，所述调控电阻的一端连接所述正端输入管的源极，所述调控电阻的另一端连接所述负端输入管的源极。

3.根据权利要求2所述的比较器，其特征在于，所述迟滞电压的大小等于所述设定电流与所述调控电阻的乘积，通过调整所述设定电流的大小来控制所述迟滞电压的大小。

4.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述设定电流由外部提供或由所述比较器内部产生。

5.根据权利要求4所述的比较器，其特征在于，所述设定电流由所述比较器内部的带隙基准电压通过一设定电阻来产生。