[发明专利]一种晶圆缺陷的多晶不良检测方法、装置

说明书

本申请涉及一种晶圆缺陷的多晶不良检测方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：加载晶圆待检测图像；将所述晶圆待检测图像通过图像阈值分割方法，获得晶圆颗粒图像；对所述晶圆待检测图像进行阈值分割，获得多晶区域的位置；根据晶圆颗粒图像的目标框边界距离，判断所述晶圆颗粒图像是否为多晶不良颗粒；如果所述晶圆颗粒图像不为多晶不良颗粒，再次判断所述晶圆颗粒图像是否位于所述多晶区域的位置；如果所述晶圆颗粒图像位于所述多晶区域的位置，则所述晶圆颗粒图像为多晶不良颗粒。采用本方法能够提高多晶不良缺陷检测的准确率。

技术领域

本申请涉及图像检测技术领域，特别是涉及一种晶圆缺陷的多晶不良检测方法、装置。

背景技术

过去半个世纪以来，电子设备的普及率极大地推动了半导体产业的蓬勃发展。日常生活中的各类电子设备，例如，电脑、电视、平板和手机等都依赖于各种半导体芯片所提供的传感、存储和计算能力。晶圆是芯片的主要构成部分，半导体晶圆的制造是一个漫长且复杂的过程，某一个环节的缺陷都会导致整个电路的故障；其中，晶圆的外观缺陷检测在晶圆质检中扮演着重要的角色。在晶圆的制造过程中，容易产生破损、裂痕、电极不良、多晶不良等缺陷，为了防止存在缺陷的晶圆流入到后续的分选封装等工序中，需要借助高精度光学检测设备拍摄晶圆表面缺陷，然后通过图像算法分析进行缺陷识别。

图1显示了外延片、芯片前制程、芯片后制程，在检测步骤中包含了晶圆的外观缺陷检测，而多晶不良是晶圆外观缺陷中比较特殊的一种；在芯片后制程的电性能检测后需要对整个晶圆芯片进行扩膜处理，在此过程中前序划裂工位或者扩膜中的异常均会导致多晶不良的出现，也就是多个晶圆颗粒粘连的情况，图2展示了多晶不良缺陷，如图2中的201部分。各个光电厂家制作工艺的不同，导致多晶不良极易出现。

传统的图像缺陷检测方法大部分针对单一晶粒进行缺陷的检测，例如发光区不良，电极不良等，针对多晶不良的检测只能依靠晶粒外延区域的灰度值进行阈值卡控，无法将多晶不良晶粒全部检出。针对一些复杂情况，例如晶粒边缘与背景灰度值高度相似、晶粒歪斜或者边缘多胞等情况，现有的多晶检测技术更加无法将多晶不良缺陷准确检出。

如果具有多晶不良缺陷的某一个晶圆误认为是正常晶圆颗粒，那么在分选工位中与该晶圆颗粒粘连的所有晶粒均会被抓起，造成频繁的报警，增加了操作人员的目检难度。因此，多晶不良的卡控标准非常严格，需要做到零漏判，亟需一种准确度高、适用性强的多晶不良缺陷检测方法。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高多晶不良缺陷检测准确率的晶圆缺陷的多晶不良检测方法、装置、计算机设备和存储介质。

一种晶圆缺陷的多晶不良检测方法，所述方法包括：

加载晶圆待检测图像；

将所述晶圆待检测图像通过图像阈值分割方法，获得晶圆颗粒图像；

对所述晶圆待检测图像进行阈值分割，获得多晶区域的位置；

根据晶圆颗粒图像的目标框边界距离，判断所述晶圆颗粒图像是否为多晶不良颗粒；

如果所述晶圆颗粒图像不为多晶不良颗粒，再次判断所述晶圆颗粒图像是否位于所述多晶区域的位置；

如果所述晶圆颗粒图像位于所述多晶区域的位置，则所述晶圆颗粒图像为多晶不良颗粒。

在其中一个实施例中，将所述晶圆待检测图像通过图像阈值分割方法，获得晶圆颗粒图像，包括：将所述晶圆待检测图像输入晶圆颗粒检测模型，得到晶圆颗粒图像；其中，晶圆颗粒检测模型通过预设神经网络模型训练获得，用于根据输入的晶圆待检测图像，输出晶圆颗粒图像。