[发明专利]一种基于二维材料声子模的太赫兹发生器

权利要求书

1.一种基于二维材料声子模的太赫兹发生器，其特征在于，包括低能量宽带太赫兹脉冲产生装置(1)、太赫兹单色辐射发生器(2)和用于控制太赫兹单色辐射发生器(2)所处温度的温度控制装置；

所述太赫兹单色辐射发生器(2)包括二维材料层(21)和高透射基底(22)，二维材料层(21)装载于高透射基底(22)上，低能量宽带太赫兹脉冲产生装置(1)发出的宽带太赫兹脉冲依次经过二维材料层(21)、高透射基底(22)输出单色太赫兹辐射。

2.根据权利要求1所述的基于二维材料声子模的太赫兹发生器，其特征在于，所述太赫兹发生器还包括用于调控太赫兹单色辐射发生器(2)发射频率的应力发生装置、用于调控太赫兹单色辐射发生器(2)发射带宽的电场发生装置和用于调控太赫兹单色辐射发生器(2)发射强度的磁场发生装置；

应力发生装置的应力场方向作用于二维材料层(21)的低频声子方向，电场发生装置的电场方向作用于二维材料层(21)的电声耦合方向，磁场发生装置的磁场方向作用于二维材料层(21)的自旋声子耦合方向。

3.根据权利要求1所述的基于二维材料声子模的太赫兹发生器，其特征在于，所述二维材料层(21)和高透射基底(22)连接形成单色辐射组件，多个单色辐射组件依次排布连接形成多级器件结构。

4.根据权利要求1所述的基于二维材料声子模的太赫兹发生器，其特征在于，二维材料为晶体薄层或者多级薄层堆叠器件结构，单个或多个二维材料层(21)装载于同一高透射基底(22)上。

5.根据权利要求1所述的基于二维材料声子模的太赫兹发生器，其特征在于，高透射基底(22)为太赫兹高透射柔性或刚性材料。

6.根据权利要求4所述的基于二维材料声子模的太赫兹发生器，其特征在于，所述的二维材料为以下材料之一或多种材料依次堆叠构成：Cr₂Ge₂Te₆、Cr₂Si₂Te₆、MoS₂、MoSe₂、WSe₂、WS₂、石墨烯、黑磷、氮化硼、FeSe、RuCl、α-MoO₃单一成分或掺杂体。

7.根据权利要求5所述的基于二维材料声子模的太赫兹发生器，其特征在于，所述的高透射基底(22)为以下材料之一或多种材料依次堆叠构成：PET、聚四氟乙烯、高阻硅、氧化镁、氧化铝、氧化钛、氧化锌、氧化钒。