[发明专利]一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构在审
| 申请号： | 202110424217.5 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113097346A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王斌;戴大洲;赵晨;蒋万昌 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 电池 背面 叠层膜 钝化 结构 | ||
1.一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构，其特征在于：按照包括制绒、扩散、正面重掺杂、臭氧化、背面去PSG、碱抛光、正面氧化、正面沉积氮化硅膜、背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜、背面激光开孔、电极印刷、高温烧结、电注入的工艺步骤进行，背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜是指首先制备多层的氮氧化硅层，然后制备多层的氮化硅层，最后再制备一层氮氧化硅层和一层氮化硅，其中，多层的氮氧化硅层的总厚度为100-150纳米，多层的氮化硅层总厚度为50-80纳米，最后一层氮氧化硅层厚度为20-30纳米，最后一层氮化硅厚度为10-25纳米，多层的氮氧化硅层和多层的氮化硅层总层数相同或者不同。
2.根据权利要求1所述的一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构，其特征在于：多层的氮氧化硅层为3层氮化硅层，每层氮氧化硅层的厚度都大于15纳米，多层的氮化硅为3层，每层氮化硅的界面大于15纳米。
3.根据权利要求1所述的一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构，其特征在于：多层的氮氧化硅层从外到内折射率依次增加，多层氮化硅层的折射率相同，且小于多层氮化硅层的最小折射率，最后再制备一层氮氧化硅层和一层氮化硅折射率相同，且大于多层的氮氧化硅的最大折射率。
4.根据权利要求1所述的一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构，其特征在于：正面沉积氮化硅膜为3层以上的氮化硅层，氮化硅层总厚度为80-130纳米，每层氮化硅层厚度相同或者不同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
