[发明专利]显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 202110422889.2 | 申请日: | 2021-04-16 |
| 公开(公告)号: | CN113782567A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
| 发明(设计)人: | 崔惠临;朴晙晳;金明花;金兑相;文然建;朴根徹;孙尙佑;林俊亨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 史迎雪;康泉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及显示装置及其制造方法。该显示装置包括:基板,包括第一区和第二区;第一有源层,位于第一区上,并且包括第一沟道区、在第一沟道区的一侧的第一源区、在第一沟道区的另一侧的第一漏区以及在从第一源区到第二区的方向上延伸的第一延伸区;第一栅电极,位于第一有源层上方,并且与第一沟道区重叠;驱动电压线,位于第一有源层上,与第一源区重叠,并且沿着第一延伸区延伸;第一连接电极,位于第一漏区上;以及像素电极,位于第一栅电极上方,并且连接到第一连接电极。
相关申请的交叉引用
本申请要求2020年6月10日提交至韩国知识产权局的第10-2020-0070461号韩国专利申请的优先权和权益,该申请的公开通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开的一些实施例涉及可以提高工艺效率并且可以确保设计空间的显示装置及其制造方法。
背景技术
在显示装置当中,有机发光显示装置具有宽视角、优异的对比度和快速的响应速度。因此,有机发光显示装置作为下一代显示装置成为关注的焦点。
通常,在有机发光显示装置中,薄膜晶体管和有机发光器件形成在基板上,并且有机发光器件通过自主发光来操作。这些有机发光显示装置用作诸如移动电话的小型产品的显示单元或者用作诸如电视机(TV)的大型产品的显示单元。
这样的显示装置包括用于驱动的薄膜晶体管(TFT)和电容器。这里,TFT可以包括包含沟道区、源区和漏区的有源层以及通过栅绝缘层与有源层电绝缘的栅电极。
然而,在根据现有技术的显示装置及其制造方法中,可能需要多个掩模工艺,使得工艺效率降低,并且由于多个配置被提供,所以设计空间可能变得不足。
发明内容
本公开的一些实施例包括可以提高工艺效率并且可以确保设计空间的显示装置及其制造方法。然而,这仅是示例,并且本公开的范围不限于此。
附加的方面将在下面的描述中部分地阐述,并且将部分地从描述显而易见,或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例而习得。
根据一个或多个实施例,一种显示装置包括:基板,包括第一像素电路位于其中的第一区和第二像素电路位于其中的第二区;第一有源层,位于第一区上,并且包括第一沟道区、在第一沟道区的第一侧的第一源区、在第一沟道区的第二侧的第一漏区以及在从第一源区到第二区的方向上延伸的第一延伸区;第一栅电极,位于第一有源层上方,并且与第一沟道区重叠;驱动电压线,位于第一有源层上,与第一源区重叠,并且沿着第一延伸区延伸;第一连接电极,位于第一漏区上;以及像素电极,位于第一栅电极上方,并且连接到第一连接电极。
显示装置可以进一步包括:第二有源层,位于第一区上,并且包括第二沟道区、在第二沟道区的第一侧的第二源区、在第二沟道区的第二侧的第二漏区以及在从第二源区到第二区的方向上延伸的第二延伸区;第二栅电极,位于第二有源层上方,并且与第二沟道区重叠;数据线,位于第二有源层上,与第二源区重叠,并且沿着第二延伸区延伸;第二连接电极,位于第二漏区上;以及桥接电极,将第二连接电极与第一栅电极电连接。
显示装置可以进一步包括:第三有源层,位于第二区上,并且包括第三沟道区、在第三沟道区的第一侧的第三源区、在第三沟道区的第二侧的第三漏区以及在从第三源区到第一区的方向上延伸并与第一延伸区是一体的第三延伸区;以及第三栅电极,位于第三有源层上方,并且与第三沟道区重叠,其中,驱动电压线从第一延伸区延伸到第三延伸区并且与第三源区重叠。
显示装置可以进一步包括:第四有源层,位于第二区上,并且包括第四沟道区、在第四沟道区的第一侧的第四源区、在第四沟道区的第二侧的第四漏区以及在从第四源区到第一区的方向上延伸并与第二延伸区是一体的第四延伸区;以及第四栅电极,位于第四有源层上方,并且与第四沟道区重叠,其中,数据线从第二延伸区延伸到第四延伸区并且与第四源区重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





