[发明专利]转接板及其制备方法

说明书

本发明提供一种转接板及其制备方法，通过先制备具有第一基底、第一重新布线结构及第二重新布线结构的复合布线结构，而后将具有一定金属布线层的复合布线结构置于具有TSV柱的第二基底的凹槽中，使得复合布线结构与第二基底表面的重新布线结构电连接，从而最终形成具有布线密集区及布线稀疏区的转接板，该转接板可解决由于多层布线所造成的应力较大所导致的翘曲及分层等质量问题，同时还能减少转接板的制作时间，降低工艺难度，便于后续电路连接。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种转接板及其制备方法。

背景技术

毫米波射频技术在半导体行业发展迅速，其在高速数据通信、汽车雷达、机载导弹跟踪系统以及空间光谱检测和成像等领域都得到广泛应用。新的应用对产品的电气性能、紧凑结构和系统可靠性都提出了新的要求。对于无线发射和接收系统，目前还不能集成到同一颗芯片上（SOC），因此需要把不同的芯片如射频单元、滤波器、功率放大器等通过集成的方式集成到一个独立的系统中，以实现发射和接收信号的功能。

对于绝大多数射频芯片来说，其射频信号的传输因为需要跨层，必须用到多层布线，以通过厚度较大的金属线来匹配电阻。而这种设置对于后面的封装基板的布线挑战性较大，尤其是对于硅基封装转接板，如在做3D封装的过程中，绝大多数公司都在尽量减少硅基转接板表面的布线层数，以减少硅基中由于布线层过多导致的硅基转接板的翘曲。虽然通过增加布线密度可减少布线层数，但是在射频走线特殊的布线设置中，考虑到层间信号间的串扰、插损等问题，往往模组是不能通过增加某些层的布线密度来减少层数的。从而在射频芯片中厚度较大的多层布线，对于尺寸较大、厚度较薄的转接板的制作工艺和后续的微组装工艺都是较大的挑战，同时过多的布线层数还容易出现因应力较大导致的布线层分层问题。

综上，提供一种转接板及其制备方法，实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种转接板及其制备方法，用于解决现有技术中在制备多层布线转接板时所遇到的上述一系列的质量及工艺的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种转接板，所述转接板包括：

复合布线结构，所述复合布线结构包括：

第一基底，所述第一基底中具有第一TSV柱，且所述第一TSV柱贯穿所述第一基底；

第一重新布线结构，所述第一重新布线结构位于所述第一基底的第一面上，且与所述第一TSV柱的第一端电连接；

第二重新布线结构，所述第二重新布线结构位于所述第一基底的第二面上，且与所述第一TSV柱的第二端电连接；

所述转接板还包括：

第二基底，所述第二基底中具有第二TSV柱及凹槽，所述第二TSV柱贯穿所述第二基底，且所述复合布线结构位于所述凹槽中；

第三重新布线结构，所述第三重新布线结构位于所述第二基底的第一面上，且与所述第二TSV柱的第一端及所述复合布线结构电连接；

第四重新布线结构，所述第四重新布线结构位于所述第二基底的第二面上，且与所述第二TSV柱的第二端电连接。

可选地，所述第二基底中还包括第三TSV柱，其中，所述凹槽显露所述第三TSV柱的第一端，所述第二基底的第二面显露所述第三TSV柱的第二端，且所述第三TSV柱分别与所述复合布线结构及所述第四重新布线结构电连接。

可选地，重新布线结构包括介质层及金属布线层，所述转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，且所述复合布线结构位于所述布线密集区，使得所述布线密集区中的所述金属布线层数大于所述布线稀疏区中的所述金属布线层数。

可选地，所述凹槽的宽度为1μm~1000μm，所述凹槽的深度为10μm~2000μm。