[发明专利]一种新型高压低损耗IGBT结构在审
| 申请号： | 202110421470.5 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN112993025A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张轩;朱东柏 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080 黑龙江省哈尔*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 压低 损耗 igbt 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型高压低损耗IGBT结构，其特征在于集成PMOS的超级基区IGBT(PSBL IGBT)是在SBL IGBT结构的基础上引入一个与发射极等电位的沟槽结构,第二P型基区、N型载流子存储层、P型基区、以及与发射极等电位的沟槽结构形成具有自偏置PMOS结构，其中第二P型基区是PMOS的源区，N型载流子存储层是PMOS的基区，P型基区是PMOS的漏区，与发射极等电位的沟槽结构是PMOS的栅极,集成了PMOS的GGEE type IGBT(PGE IGBT)是在GE IGBT结构的基础上，使与发射极短接的沟槽被浮空P区包围且在与发射极短接的P型区下方引入N型区，该N型区、浮空P型区、发射极短接沟槽以及与发射极短接的P型区形成具有自偏置的PMOS结构。
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