[发明专利]绿光有机发光器件

权利要求书

1.一种绿光有机发光器件，所述绿光有机发光器件包括：

阴极；

阳极；和

在所述阴极和所述阳极之间的有机发光层，其中所述有机发光层包括主体材料和绿光客体材料，

其中，所述绿光有机发光器件还包括：

电子阻挡层，所述电子阻挡层在所述有机发光层与所述阳极之间并且与所述有机发光层接触，其中，所述电子阻挡层包括由通式(I)表示的化合物：

其中R1和R2各自独立地选自具有或不具有取代基的以下基团：芴基、螺芴基和螺[芴-9,9'-氧杂蒽]基，其中所述取代基选自：C1-C12烷基和C6-C14芳基，

X1为S，

并且所述主体材料为局域激发态预混合主体材料，包括预混合的P型半导体和N型半导体，所述N型半导体为由通式(II)或(III)表示的化合物，

其中R3和R4各自独立地选自：氢，C1-C60烷基和C6-C60芳基，

X2为CR6R7、NR8、O或者S，其中R6、R7和R8各自独立地选自：氢、C1-C60烷基和C6-C60芳基，

X3、X4和X5各自为CH或N，并且X3、X4和X5中至少一个为N，

其中，

所述由通式(I)表示的化合物的HOMO能级HOMO₁和所述由通式(II)或(III)表示的化合物的HOMO能级HOMO₂满足以下关系：

∣HOMO₁－HOMO₂∣≤0.2eV，5.2eV≤HOMO₁≤5.6eV，5.3eV≤HOMO₂≤5.7eV，

所述由通式(I)表示的化合物的LUMO能级LUMO₁和所述由通式(II)或(III)表示的化合物的LUMO能级LUMO₂满足以下关系：

∣LUMO₁－LUMO₂∣≥0.2eV，

其中，所述P型半导体材料为联咔唑类型分子结构。

2.根据权利要求1所述的绿光有机发光器件，其中，

所述具有取代基的芴基是其中R₁₁和R₁₂各自独立地选自C1-C6烷基和C6-C10芳基。

3.根据权利要求2所述的绿光有机发光器件，其中，所述具有取代基的芴基是二甲基芴基或二苯基芴基。

4.根据权利要求1所述的绿光有机发光器件，其中，

所述由通式(II)或(III)表示的化合物中，X2为NR8。

5.根据权利要求1所述的绿光有机发光器件，其中，

所述由通式(I)表示的化合物的第一三重激发态能级T1₁和所述由通式(II)或(III)表示的化合物的第一三重激发态能级T1₂满足以下关系：

2.5eV≤T1₁≤2.9eV，2.3eV≤T1₂≤2.7eV，T1₁－T1₂≥0.2eV。

6.根据权利要求1所述的绿光有机发光器件，其中，

所述由通式(I)表示的化合物的空穴迁移率在1x10^-6c㎡/v·s至1x10^-4c㎡/v·s之间，

所述由通式(II)或(III)表示的化合物的空穴迁移率在1x10^-7c㎡/v·s至1x10^-5c㎡/v·s之间，且电子迁移率在1x10^-8c㎡/v·s至1x10^-4c㎡/v·s之间。