[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

在一基板上依序形成一外延层及一半导体层；

在所述半导体层上形成一图案化硬遮罩层，所述图案化硬遮罩层包含至少二开口；

使用所述图案化硬遮罩层作为刻蚀遮罩，并刻蚀所述半导体层，以移除所述至少二开口下方的所述半导体层；

移除介于所述至少二开口之间的所述图案化硬遮罩层；

使用所述图案化硬遮罩层的剩余部分作为刻蚀遮罩，并刻蚀所述半导体层及所述外延层，以使所述外延层具有一凹槽及位于所述凹槽的底表面上且在介于所述至少二开口之间的所述图案化硬遮罩层的下方的一凸部；

移除所述图案化硬遮罩层的所述剩余部分；以及

在所述半导体层及所述外延层上形成具有一第一沟槽的一第一介电层。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在移除介于所述至少二开口之间的所述图案化硬遮罩层之前，形成一光阻层于所述图案化硬遮罩层的所述剩余部分上，且其中在移除介于所述至少二开口之间的所述图案化硬遮罩层之后，再移除所述光阻层。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括一电极形成步骤，所述电极形成步骤包括：

形成一源极于所述外延层的所述凸部上；以及

形成一栅极于所述外延层的凹槽上，且所述栅极不形成于所述外延层的所述凸部上。

4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述电极形成步骤还包括：

填入一第一材料于所述第一介电层的所述第一沟槽中，以形成所述源极；

刻蚀所述第一介电层，直至露出所述半导体层的上表面，以形成一第二沟槽；

形成一第二介电层于所述第二沟槽上、所述半导体层上及所述源极上，所述第二介电层具有一第三沟槽；以及

填入一第二材料于所述第三沟槽中，以形成所述栅极，其中形成所述栅极的步骤还包括：

平坦化所述第二材料，直至露出所述源极的上表面，且保留所述第二介电层的至少一部分于所述半导体层上。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括一电极形成步骤，所述电极形成步骤包括：

形成一源极于所述外延层的所述凹槽上；以及

形成一栅极于所述源极上，以使所述栅极相较于所述源极更远离所述基板。

6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述电极形成步骤还包括：

填入一第一材料于所述第一介电层的所述第一沟槽中，以形成所述源极；

刻蚀所述第一介电层，直至所述第一介电层的顶表面与所述源极的顶表面共平面，以形成一第二沟槽；

形成一第二介电层于所述第二沟槽上、及所述半导体层上，所述第二介电层具有一第三沟槽；以及

填入一第二材料于所述第三沟槽中，以形成所述栅极。

7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在所述第一介电层的所述第一沟槽中形成对应于所述外延层的所述凸部的一凸出形状，以使所述源极具有对应于所述外延层的所述凸部的一凹入形状。

8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，进一步包括：

形成一第一掺杂区于所述半导体层；

形成一层间介电层于所述第一掺杂区上；

形成一接触通孔，所述接触通孔暴露设置于所述外延层上的所述半导体层的一部分；

形成一第二掺杂区于所述接触通孔下且于所述半导体层中；

填入一通孔材料于所述接触通孔中，以形成一接触插塞；

形成一金属层于所述层间介电层上，使所述金属层与所述接触插塞彼此接触。

9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述基板、所述外延层、以及所述第一掺杂区具有一第一导电型态，且所述半导体层及所述第二掺杂区具有不同于所述第一导电型态的一第二导电型态。