[发明专利]数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法

说明书

本发明涉及多通道的非挥发式存储器控制技术，具体而言，涉及数据储存装置有及非挥发式存储器控制方法。一控制器在读取一非挥发式存储器上一读取目标时，调升该读取目标所属一计数统计单位的一读取计数，并根据该读取计数，决定是否搬移该计数统计单位的数据，以处理读取干扰。该计数统计单位小于一跨通道管理单位；该控制器是根据该跨通道管理单位，设定允予经过这些通道对该非挥发式存储器进行并行存取的空间。

技术领域

本发明有关于数据储存装置的读取干扰解决方案。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存，可做为储存媒体实现一数据储存装置。

非挥发式存储器通常有其特殊的储存特性。本技术领域需要相应非挥发式存储器的储存特性发展相应的控制技术。例如，非挥发式存储器储存的数据可能因为反复读取而损坏，此现象称读取干扰。非挥发式存储器的控制技术须对读取干扰提出解决方案。

发明内容

本发明提出一种多通道非挥发式存储器控制技术，以最佳化方式应付读取干扰。

根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置包括一非挥发式存储器、以及经多个条通道耦接该非挥发式存储器的一控制器。该控制器读取该非挥发式存储器上一读取目标时，调升该读取目标所属一计数统计单位的一读取计数，并根据该读取计数，决定是否搬移该计数统计单位的数据，以处理读取干扰。该计数统计单位小于一跨通道管理单位，该控制器是根据该跨通道管理单位，设定允予经过这些通道对该非挥发式存储器进行并行存取的空间。

一种实施方式中，该读取计数高于一第一临界值时，该控制器搬移该计数统计单位的数据。该读取计数不高于该第一临界值、但高于较该第一临界值低的一第二临界值时，该控制器可更参考该读取目标的一比特差错率，并在该比特差错率高于一稳定度临界值时，搬移该计数统计单位的数据。

一种实施方式中，该非挥发式存储器包括一伪低阶储存单元区、以及一高阶储存单元区。该读取目标落在该伪低阶储存单元区时，该控制器在该读取计数高于一第三临界值时，搬移该计数统计单位的数据。该读取目标落在该高阶储存单元区时，该控制器在该读取计数高于一第四临界值时，搬移该计数统计单位的数据。该第三临界值高于该第四临界值。

该读取目标落在该伪低阶储存单元区时，若该读取计数不高于该第三临界值、但高于较该第三临界值低的一第五临界值，该控制器可更参考该读取目标的一比特差错率，并在该比特差错率高于一稳定度临界值时，搬移该计数统计单位的数据。

该读取目标落在该高阶储存单元区时，若该读取计数不高于该第四临界值、但高于较该第四临界值低的一第六临界值，该控制器更参考该读取目标的该比特差错率，并在该比特差错率高于该稳定度临界值时，搬移该计数统计单位的数据。该第五临界值可高于该第六临界值。

一种实施方式中，该非挥发式存储器为快闪存储器，具有NxM个晶粒，经N条通道供该控制器并行存取，各通道由M个晶粒共享，N以及M为数量。各跨通道管理单位为NxM个晶粒各自提供一区块组成，尺寸为一超级区块。区块包括多个页，且各读取目标尺寸为一页。

各计数统计单位可由同通道M个晶粒各自提供一区块组成，尺寸为M个区块。该控制器是将判定受读取干扰的M个区块的数据搬移到同通道的一备用计数统计单位，使所属超级区块不移动的其他(N-1)xM个区块的数据，与该备用计数统计单位的M个区块继续组成一超级区块。

各计数统计单位尺寸可即一区块。该控制器是将判定受读取干扰的一区块的数据搬移到同晶粒的一备用区块，使所属超级区块不移动的其他(NxM-1)个区块的数据，与该备用区块继续组成一超级区块。