[发明专利]一种铜纳米结构的制备方法

权利要求书

1.一种铜纳米结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

选取基底，利用真空热蒸镀法在所述基底上蒸镀作为阳极的第一薄膜、以及作为阴极的第二薄膜；其中，所述第一薄膜和所述第二薄膜间隔设置，且材质均为金/银；

在具有所述第一薄膜和第二薄膜的基底上蒸镀快离子导体薄膜；其中，所述快离子导体薄膜中含有铜，且所述快离子导体薄膜为连通的整体膜，所述整体膜同时覆盖于所述第一薄膜和第二薄膜上；

为所述阳极和阴极通电，阳极表面与铜离子RbCu₄Cl₃I₂快离子导体薄膜相接触的金属原子首先失去电子并转变为金属离子，该离子在电场的作用下传输至快离子导体薄膜中并将快离子导体薄膜中的铜离子置换出来，而金属离子用来补充快离子导体薄膜中失去的离子空位，传输至阴极的铜离子在阴极边缘得到电子后，被还原并堆积结晶形成金属铜纳米结构；达到预定时间后，在所述阴极上得到铜纳米结构。

2.如权利要求1所述的一种铜纳米结构的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜的体积大于所述第二薄膜的体积。

3.如权利要求2所述的一种铜纳米结构的制备方法，其特征在于，所述快离子导体薄膜为RbCu₄Cl₃I₂快离子导体薄膜；

通电后电流强度为4～6μA，通电时间为107～262h。

4.如权利要求3所述的一种铜纳米结构的制备方法，其特征在于，所述RbCu₄Cl₃I₂快离子导体薄膜的蒸镀原料由RbI、CuI和CuCl粉末组成。

5.如权利要求4所述的一种铜纳米结构的制备方法，其特征在于，所述RbI的含量≥99.0％，所述CuI的含量≥99.0％，所述CuCl的含量≥97.0％，且在所述蒸镀原料中RbI、CuI和CuCl的摩尔比为1:1:3。

6.如权利要求5所述的一种铜纳米结构的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜与所述第二薄膜的厚度相同。

7.如权利要求6所述的一种铜纳米结构的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜的宽度与第二薄膜的宽度比为4:1。

8.如权利要求6或7所述的一种铜纳米结构的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜的厚度≥0.8μm且≤1.2μm，所述第二薄膜厚度≥0.8μm且≤1.2μm。

9.如权利要求8所述的一种铜纳米结构的制备方法，其特征在于，为所述阳极和阴极通电时，采用恒压数字源表作为电源，所述恒压数字源表的正极与所述阳极连接，所述恒压数字源表的负极与所述阴极连接。