[发明专利]显示面板及其制备方法有效
| 申请号: | 202110415845.7 | 申请日: | 2021-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN113192983B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
| 发明(设计)人: | 胡鹏;段艳强;蒋聪聪 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种显示面板及其制备方法,该制备方法中的待切割显示面板包括显示区和围绕显示区的边框区,边框区内设置有角部切割区,待切割显示面板在角部切割区内包括柔性衬底、缓冲层、无机封装层以及牺牲层,缓冲层设置于柔性衬底上,且缓冲层形成有切割槽,无机封装层设置于缓冲层上及切割槽内,牺牲层设置于部分无机封装层上,且填充切割槽,切割槽贯穿缓冲层并延伸至柔性衬底内,且角部切割区的切割路径对应切割槽。本发明通过在缓冲层形成切割槽,并在切割槽内填充有机材料,通过沿切割槽切割显示面板,以缓解现有显示面板在二次切割时产生微裂纹影响封装效果的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
近年来,随着智能终端设备和可穿戴设备的技术发展,对于平板显示的需求越来越多样化。诸如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器,具有自发光特性,相比液晶显示屏省去了背光模组而显得更节能。
目前显示面板的制造均是在母板上进行整体工艺制作后再切割分离,进一步完成后段模组工艺,以柔性显示面板为例,在母板上形成多个柔性显示面板,之后切割母板形成独立的柔性显示面板。然后根据实际产品的外形需求,通过激光切割的方式依照需求外形对独立的柔性显示面板进行二次切割。但现有激光切割通常会在切割区域产生微裂纹,微裂纹沿着切割区域的无机层延伸至封装结构中的无机层,最终影响柔性显示面板的封装,导致产品产生黑斑失效。而且随着市场需求的多元化,实际产品的外形出现多样化的趋势,导致出现一些异形切割,例如多曲面屏的倒角位置切割。多曲面屏因其特殊性,为了保证长短边弯折区无重合点,需采用大圆角设计,这样激光切割在弧区加工长度有显著增加,导致因切割产生裂纹的风险显著增加。
因此,现有显示面板在二次切割时产生微裂纹影响封装效果的问题需要解决。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制备方法,以缓解现有显示面板在二次切割时产生微裂纹影响封装效果的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种显示面板,其包括显示区和围绕所述显示区的边框区,所述边框区内设置有角部切割区,所述显示面板在所述角部切割区内包括柔性衬底、缓冲层、无机封装层以及牺牲层。所述缓冲层设置于所述柔性衬底上,且所述柔性衬底的末端在靠近所述缓冲层的一侧形成有第一凹槽,所述第一凹槽的底部朝向所述显示区延伸。所述无机封装层设置于所述缓冲层的上表面和侧面以及所述第一凹槽内。所述牺牲层设置于所述第一凹槽内的所述无机封装层上,且填充所述第一凹槽。其中,所述缓冲层的长度小于所述柔性衬底的长度。
在本发明实施例提供的显示面板中,所述牺牲层还设置于所述缓冲层侧面的所述无机封装层上。
在本发明实施例提供的显示面板中,所述柔性衬底的侧面与所述柔性衬底的下表面的夹角小于90度。
在本发明实施例提供的显示面板中,所述第一凹槽的截面形状包括圆弧。
在本发明实施例提供的显示面板中,所述缓冲层还形成有至少一个第二凹槽,所述第二凹槽贯穿所述缓冲层并延伸至所述柔性衬底,且所述无机封装层还设置于所述第二凹槽内。
在本发明实施例提供的显示面板中,所述第二凹槽包括相互贯通的第一开孔和第二开孔,所述第一开孔位于所述缓冲层内,所述第二开孔位于所述柔性衬底内,且所述第一开孔的宽度小于所述第二开孔的宽度。
在本发明实施例提供的显示面板中,所述第一凹槽和所述第二开孔的延伸末端在同一水平面上。
在本发明实施例提供的显示面板中,所述第一凹槽和所述第二凹槽之间具有间隔。
在本发明实施例提供的显示面板中,所述边框区内还设置有边部切割区,所述角部切割区位于相邻的两个所述边部切割区之间,且所述边部切割区内未设置所述第一凹槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





