[发明专利]一种半导体衬底及半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202110414223.2 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113314397A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 孔真真;亨利·H·阿达姆松;王桂磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 结构 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括：
在硅衬底上外延锗缓冲层，
在所述锗缓冲层表面生长第一绝缘层；
图形化刻蚀所述第一绝缘层，形成多个凹槽；
外延生长锗锡层；
外延生长锗层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述凹槽的轮廓呈长方体、圆柱、圆台或圆锥状。
3.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供支撑衬底，在所述支撑衬底生长第二绝缘层；
利用权利要求1-2任一项所述的制备方法制得半导体衬底；
将所述支撑衬底与所述半导体衬底键合，并且所述第二绝缘层与所述锗层相邻；
去除所述硅衬底、所述锗缓冲层、所述第一绝缘层和所述锗锡层。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述支撑衬底为硅衬底。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为氧化硅，氮化硅或者氧化硅/氮化硅的混合材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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