[发明专利]一种基于介质集成悬置线的过渡结构及集成模块

权利要求书

1.一种基于介质集成悬置线的过渡结构，其特征在于，包括介质集成悬置线平台，所述介质集成悬置线平台由从上至下的五层介质层构成；每层介质层正反两面都设有金属层；

第一层介质层上设有用于放置芯片的第一孔；

第二层介质层上设有用于形成所述第一层介质层与第三层介质层之间的空气腔的第二孔；

第三层介质层上设有用于在K波段进行宽带传输的过渡结构，所述过渡结构由介质集成悬置线到带状线到接地共面波导的三段传输线结构构成；

第四层介质层上设有用于连接所述第三层介质层上外围偏置电路的金属线；

第五层介质层为介质集成悬置线的盖板，用于屏蔽电磁环境，稳定电路结构；

所述第一层介质层的厚度、所述第二层介质层的厚度、所述第三层介质层的厚度、所述第四层介质层的厚度以及所述第五层介质层的厚度依次为0.6mm、0.6mm、0.254mm、0.6mm、0.6mm，过渡结构的总长度为1.9,mm，接地共面波导的中心金属导带宽度w₁＝0.63mm，带状线宽w₂＝0.495mm，介质集成悬置线宽度w₃＝0.5969mm，导带两边槽宽s₁＝0.18mm。

2.根据权利要求1所述的一种基于介质集成悬置线的过渡结构，其特征在于，所述每层介质层均设有金属通孔与铆钉孔，所述第二层介质层上设置的金属通孔与所述第四层介质层上设置的金属通孔均接地，所述铆钉孔用于将所述介质层之间进行铆接。

3.根据权利要求2述的一种基于介质集成悬置线的过渡结构，其特征在于，所述第一层介质层、所述第二层介质层、所述第三层介质层、所述第四层介质层以及所述第五层介质层依次采用Fr4、Fr4、Rogers5880、Fr4、Fr4材料构成。

4.根据权利要求1所述的一种基于介质集成悬置线的过渡结构，其特征在于，所述每层介质层均为PCB电路板。

5.一种集成模块，其特征在于，包括放大器芯片、放大器集成、放大器偏置电路、散热结构以及如权利要求1～4任意一种所述的基于介质集成悬置线的过渡结构，所述放大器芯片设置在所述第一层介质层上的第一孔，所述放大器芯片集成设置在所述第三层介质层上，所述放大器偏置电路与所述散热结构均设置在所述第三层介质层；

所述散热结构用于给所述放大器芯片进行散热；

所述偏置电路用于给所述放大器芯片提供偏置电压。

6.根据权利要求5所述的一种集成模块，其特征在于，所述放大器芯片为功率放大器。