[发明专利]一种基于FDSOI技术的比特单元和存储器在审
| 申请号： | 202110412458.8 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN112951291A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨展悌;苏炳熏;叶甜春;罗军;赵杰;王云 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/405 | 分类号： | G11C11/405 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 510535 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 fdsoi 技术 比特 单元 存储器 | ||
1.一种基于FDSOI技术的比特单元，其特征在于：包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管均为FDSOI器件；
所述第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极分别接入到数据线上，所述第一NMOS管的漏极接到第一比特线上，所述第二NMOS管的漏极接到第二比特线上；
所述第一NMOS管的源极分别和第一PMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极电连接；所述第二NMOS管的源极分别和第一PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极和第四NMOS管的栅极电连接；
所述第三NMOS管的源极和第四NMOS管的源极分别接地，所述第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极分别接入第一电源；
所述第一NMOS管的衬底引线分别与第二NMOS管的衬底引线、第三NMOS管的衬底引线和第四NMOS管的衬底引线电连接，所述第一PMOS管的衬底引线和第二PMOS管的衬底引线电连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于FDSOI技术的比特单元，其特征在于：所述第一NMOS管的衬底引线输入第二电源，所述第一PMOS管的衬底引线输入第三电源。
3.根据权利要求2所述的一种基于FDSOI技术的比特单元，其特征在于：所述比特单元在进行读写时所述第二电源的电压幅值和第一电源的电压幅值相同，所述第三电源的电压幅值为OV。
4.根据权利要求1所述的一种基于FDSOI技术的比特单元，其特征在于：所述比特单元在低压操作或者是维持状态时所述第一NMOS管的衬底引线输入电压值为负值的第一驱动电压，所述第一PMOS管的衬底引线输入电压值为正值的第二驱动电压。
5.一种基于FDSOI技术的存储器，其特征在于：应用如权利要求1-4任一项所述的一种基于FDSOI技术的比特单元。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司，未经广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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