[发明专利]一种发光器件及其制备方法和应用在审
申请号: | 202110410329.5 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN113130807A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 李栋婵;李策;谷少强;马涛 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;D01D5/00;D04H1/4291;D04H1/4358;D04H1/4382;D04H1/728;D04H13/00;B32B27/02;B32B27/40;B32B27/12;B32B27/18;B32B33/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 300130 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,所述发光器件包括依次层叠设置的下电极织物、发光层织物和上电极织物;
所述下电极织物和上电极织物的厚度各自独立地为180-220μm;
所述发光层织物的厚度为240-280μm。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述下电极织物和上电极织物的制备原料均包括基底材料和导电材料溶液的组合;
优选地,所述基底材料包括聚氨酯溶液和/或氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物溶液;
优选地,所述基底材料的质量百分比浓度为10%-25%;
优选地,所述导电材料溶液中的导电材料包括银纳米线、碳纳米管、石墨烯、导电水凝胶或导电高分子材料中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,所述银纳米线的长度为45-55μm;
优选地,所述导电材料溶液的质量浓度为1.5-1.7mg/mL;
优选地,所述基体材料与导电材料溶液的体积比为1:(1-3)。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件,其特征在于,所述发光层织物的制备原料包括基底材料和发光材料的组合;
优选地,所述基底材料包括聚氨酯溶液和/或氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物溶液;
优选地,所述基底材料的质量百分比浓度为12.5%-17.5%;
优选地,所述发光材料包括硫化锌铜;
优选地,所述基底材料和发光材料的质量比为3:1以上。
4.一种根据权利要求1-3任一项所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:将厚度为180-220μm的下电极织物、240-280μm的发光层织物和180-220μm的上电极织物依次层叠设置,得到所述发光器件。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
(1)将基底材料静电纺丝,同时喷涂导电材料溶液,得到厚度为180-220μm的下电极织物;
(2)将基底材料和发光材料按照质量比混合,得到发光浆液,将发光浆液在步骤(1)所得下电极织物上静电纺丝,形成厚度为240-280μm的发光层织物,得到中间产物;
(3)将基底材料在步骤(2)所得中间产物的发光层织物上静电纺丝,同时喷涂导电材料溶液,形成厚度为180-220μm的上电极织物,得到所述发光器件。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法,其特征在于,所述静电纺丝采用静电纺丝装置进行;
优选地,所述静电纺丝装置中点胶针头的进液速率为5-7mL/h;
优选地,所述静电纺丝装置中高压电源设置为12-17kV;
优选地,所述静电纺丝装置中筒接收器的转速为150-250r/min;
优选地,所述点胶针头与滚筒接收器的距离为12-17cm;
优选地,静电纺丝具体包括:将步骤(1)、(2)或(3)中的基底材料或发光浆液转移至点胶针头,设置进液速率为5-7mL/h,高压电源设置为12-17kV,滚筒接收器的转速为150-250r/min,点胶针头与滚筒接收器的距离为12-17cm,纺丝。
7.根据权利要求4-6任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)和(3)中所述喷涂导电材料溶液均采用空压机进行;
优选地,所述空压机的压力为5-7kPa。
8.根据权利要求4-7任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)和(3)中所述喷涂导电材料溶液后均还包括进行干燥的操作;
优选地,所述干燥的温度为55-65℃;
优选地,所述干燥的时间为1.5-2.5h。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择