[发明专利]一种优化晶圆级封装可靠性优化方法

权利要求书

1.一种优化晶圆级封装可靠性优化方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据封装结构的初始结构尺寸和焊点材料仿真获得结构的初始热疲劳寿命；

选取影响封装结构所述疲劳寿命的因素，并制定合适的正交表格；

对所述正交表格的样本数据进行极差分析得到各个因素的影响趋势图，观察图中各个因素在不同取值下的变化范围从而得到影响所述热疲劳寿命的主要因素以及各个因素的最优值；

将各个因素的最优组合仿真后获得所述热疲劳寿命，将优化结构的所述热疲劳寿命与初始结构所述热疲劳寿命进行对比，发现所述热疲劳寿命有明显增加，封装结构的可靠性得到优化。

2.根据权利要求1所述的优化方法，其特征在于，所述热疲劳寿命的因素包括铜柱高度、焊点高度、芯片厚度、印刷电路板厚度、焊点材料、低介电常数层厚度以及焊盘厚度。

3.根据权利要求2所述的优化方法，其特征在于，所述正交表为七因素三水平的所述正交表，所述正交表进行18组样本实验。

4.根据权利要求3所述的优化方法，其特征在于，所述因素影响趋势图是根据所述正交表格数据进行极差分析所得，每个因素在不同取值时的响应差越大，则该因素影响程度越大，若一个因素在一个取值下对应的响应越大，则认为这个取值为该因素的最优值。