[发明专利]利用虚设存储块作为池电容器的非易失性存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

多个存储块；

与所述多个存储块相邻的至少一个虚设块，其中，所述多个存储块中的每一个存储块包括：在衬底上的交替层堆叠体、在所述交替层堆叠体中的多个沟道孔、以及沿所述多个沟道孔设置的存储单元串，其中，所述至少一个虚设块包括在所述衬底上的交替虚设层堆叠体，并且其中，所述交替虚设层堆叠体包括交替层叠在彼此上的多个导电层和多个电介质层；以及

外围电路区域，用于支持所述多个存储块的操作，其中，所述外围电路区域包括用于抑制功率噪声的多个池电容器，其中，所述虚设块被配置为形成用于抑制功率噪声的补充池电容器，

其中，所述多个存储块和所述至少一个虚设块均位于存储器阵列中。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个存储块和所述至少一个虚设块被分组到页面中。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，还包括页面缓冲区域，所述页面缓冲区域对应于所述页面。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的非易失性存储器件，其中，所述虚设块和所述存储块具有相同的结构。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述虚设块还包括：

在所述虚设块的两个相对端处的阶梯结构；以及

设置在所述阶梯结构上并电连接到所述多个导电层的触点。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，所述多个导电层经由设置在所述阶梯结构上的所述触点依次且交替地偏置到电源和地电位，从而在所述多个导电层之间形成电容器，其中，所述多个电介质层用作电容器电介质。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，所述电源包括内部电源或外部电源。

8.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，所述多个导电层中的至少两个相邻的导电层经由设置在所述阶梯结构上的所述触点被偏置到相同的电源。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述虚设块设置在所述多个存储块的页面中的每个页面的边缘处。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述虚设块被分成多个子块。

11.一种非易失性存储器件，包括：

多个存储块；以及

至少一个虚设块，其被配置为形成用于抑制功率噪声的池电容器，其中，所述至少一个虚设块包括：衬底、在所述衬底上的导体区域、以及在所述导体区域上的交替虚设层堆叠体，并且其中，所述交替虚设层堆叠体包括交替层叠在彼此上的多个导电层和多个电介质层，

其中，所述多个存储块和所述至少一个虚设块均位于存储器阵列中。

12.根据权利要求11所述的非易失性存储器件，还包括外围电路区域，用于支持所述多个存储块的操作。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，所述外围电路区域包括用于抑制功率噪声的多个池电容器。

14.根据权利要求11或12所述的非易失性存储器件，其中，所述虚设块和所述存储块具有相同的结构。

15.根据权利要求11或12所述的非易失性存储器件，其中，所述至少一个虚设块与所述多个存储块相邻。