[发明专利]离子注入角度的监测方法及校正方法

权利要求书

1.一种离子注入角度的监测方法，其特征在于，包括：

选取至少两片测试晶圆；

以第一角度对至少一片所述测试晶圆执行离子注入，以第二角度对至少一片剩余的所述测试晶圆执行离子注入；

测量每片所述测试晶圆的特征值；

根据所述特征值，并参照标准曲线，计算出离子注入偏差角度；

其中，所述标准曲线的函数式为：Δ= ζ*θ+Τ；θ为离子注入偏差角度，ζ和Τ为常数，Δ为特征值相关量，且Δ=（W₁-W₂）/(W₁+W₂)；W₁为以第一角度执行离子注入后测量的所述测试晶圆的特征值，W₂为以第二角度执行离子注入后测量的所述测试晶圆的特征值；

以及，获取所述标准曲线的方法包括：

选取多片测试晶圆，并选定多个注入角度；

分别以多个所述注入角度，对多个所述测试晶圆逐一执行离子注入；其中，所述多个注入角度分为第一组注入角度和第二组注入角度；所述第一组注入角度中的各所述注入角度以第三角度为基准呈等差数列；所述第二组注入角度中的各所述注入角度以第四角度为基准呈等差数列；且所述第一组注入角度中的公差角度与所述第二组注入角度中的公差角度相同；

测量所有所述测试晶圆的特征值；

根据多个所述注入角度和所有所述特征值拟合出标准曲线；且拟合所述标准曲线的方法包括：

在所述第一组注入角度以及所述第二组注入角度中，将分别与对应的所述第三角度和所述第四角度之间具有相同角度差的两个注入角度归为一采样点，并获取每一所述采样点对应的两个所述测试晶圆的特征值；

根据每一所述采样点对应的两个所述特征值，计算出该采样点的特征值相关量，并以所述特征值相关量和所述相同角度差作为对应的所述采样点的变量，在平面坐标系中绘制出由各所述采样点组成的采样测量曲线；

根据所述采样测量曲线拟合出所述标准曲线。

2.根据权利要求1所述的离子注入角度的监测方法，其特征在于，所述第一角度和所述第二角度之间的角度差大于0度且小于90度。

3.根据权利要求1所述的离子注入角度的监测方法，其特征在于，所述特征值包括所述测试晶圆的热波值和/或电阻值。

4.根据权利要求1所述的离子注入角度的监测方法，其特征在于，所述第三角度和所述第四角度之间的角度差大于0度且小于90度。

5.根据权利要求1所述的离子注入角度的监测方法，其特征在于，所述特征值相关量满足如下公式：Δ=（W_i-W_j）/(W_i+W_j)；

其中，Δ为特征值相关量，W_i为所述采样点中所述第一组注入角度中的注入角度所对应的所述测试晶圆的特征值，W_j为所述采样点中所述第二组注入角度中的注入角度所对应的所述测试晶圆的特征值。

6.根据权利要求1所述的离子注入角度的监测方法，其特征在于，采用标准机台获取所述标准曲线，其中，所述标准机台的离子注入偏差角度为0度。

7.根据权利要求1所述的离子注入角度的监测方法，其特征在于，测量每一所述测试晶圆的特征值之后，当所述测试晶圆的数量大于2时，以第一角度注入的所述测试晶圆的特征值均值作为第一特征值，以及，以第二角度注入的所述测试晶圆的特征值均值作为第二特征值；根据所述第一特征值和所述第二特征值，并参照标准曲线，计算出离子注入偏差角度。

8.一种离子注入角度的校正方法，其特征在于，包括：

根据权利要求1~7中任意一项所述的离子注入角度的监测方法获取离子注入偏差角度；

判断所述离子注入偏差角度是否超出阈值范围；如是，根据所述离子注入偏差角度调整机台注入角度，重复测量所述离子注入偏差角度，直至获取的所述离子注入偏差角度在阈值范围内。