[发明专利]一种界面接触的反式钙钛矿太阳电池组件及制备方法与应用

权利要求书

1.一种界面接触的反式钙钛矿太阳电池组件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

制备界面接触层：依次在FTO/Cu:NiO_x薄膜上旋涂PTAA和Al₂O₃溶液，每一层进行热处理，得到FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃薄膜；

制备三维钙钛矿复合层：将钙钛矿前驱体溶液旋涂在FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃薄膜上，并在旋涂过程中利用乙酸乙酯进行反溶剂处理，最后加热进行钙钛矿薄膜结晶，得到FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃/K_0.01-Cs_0.04FA_0.83MA_0.12Pb(I_0.88Br_0.12)₃薄膜；

制备界面接触层：旋涂PEAI溶液在已制备好的FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃/K_0.01-Cs_0.04FA_0.83MA_0.12Pb(I_0.88Br_0.12)₃，固化后得到FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃/K_0.01-Cs_0.04FA_0.83MA_0.12Pb(I_0.88Br_0.12)₃/PEA₂PbI₄；再依次旋涂PCBM溶液和BCP溶液，固化后得到FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃/K_0.01-Cs_0.04FA_0.83MA_0.12Pb(I_0.88Br_0.12)₃/PEA₂PbI₄/PCBM/BCP薄膜，然后使用原子层沉积法沉积致密的氧化锡薄膜，以及热蒸发沉积顶部银导电电极，得到界面接触的反式钙钛矿太阳电池组件FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃/K_0.01-Cs_0.04FA_0.83MA_0.12Pb(I_0.88Br_0.12)₃/PEA₂PbI₄/PCBM/BCP/ALD-SnO₂/Ag；

所述钙钛矿前驱体溶液为四元阳离子钙钛矿溶液，通过以下方法制备：将MAPbBr₃溶液，CsI溶液和KI溶液加热直至全部溶解，混合后即得到钙钛矿前驱体；

所述钙钛矿前驱体溶液的浓度为40-45wt％。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述PTAA溶液的浓度为0.2mg/mL～0.5mg/mL；所述Al₂O₃溶液的浓度为0.2wt％～0.6wt％；

所述PTAA溶液旋涂的转速为5500～6500rpm，旋涂的时间25～35s；所述Al₂O₃溶液旋涂的转速为3000～4000rpm，旋涂的时间为25～35s；

所述热处理为退火处理，退火温度为100～140℃，退火时间为10～15分钟。