[发明专利]反熔丝修调电路及其修调方法

权利要求书

1.一种反熔丝修调电路，其特征在于，所述反熔丝修调电路包括恒流源电路、检测电路、反熔丝、隔离限流电路、电源电压VDD，所述恒流源电路以电源端为起点顺序连接所述检测电路、所述隔离限流电路和所述反熔丝；

所述恒流源电路包括偏置电压V_B、PMOS场效应管PM₁、PM₁的寄生体二极管PD，所述偏置电压V_B给所述PMOS场效应管PM₁提供合适的偏置，恒流源电流Ic为100nA；所述电源端与所述PMOS场效应管PM₁的源极连接，所述偏置电压V_B与所述PMOS场效应管PM₁的栅极连接；

所述检测电路由PMOS场效应管PM₃、NMOS场效应管NM₁与NMOS场效应管NM₂组成；所述NMOS场效应管NM₁的宽长比为0.5/10，以提高阈值电压V_TH和减小所述检测电路的工作电流；所述电源端与所述PMOS场效应管PM₃的源极连接，所述PMOS场效应管PM₃的栅极与所述NMOS场效应管NM₁的栅极及所述PMOS场效应管PM₁的漏极相互连接，所述PMOS场效应管PM₃的漏极与所述NMOS场效应管NM₁的漏极连接且输出修调逻辑信号T_Si，所述NMOS场效应管NM₁的源极分别连接所述NMOS场效应管NM₂的漏极和栅极，所述NMOS场效应管NM₂的源极接地；

所述隔离限流电路由串联的P型通用二极管D₁与P型通用二极管D₂构成，所述P型通用二极管D₁和P型通用二极管D₂位于不同N阱中，所述P型通用二极管D₁的阴极与修调输入引脚T_i连接_，所述P型通用二极管D₂的阳极与所述PMOS场效应管PM₁的漏极连接；或者，所述隔离限流电路仅由P型通用二极管D₁构成，所述P型通用二极管D₁的阴极与修调输入引脚T_i连接_，所述P型通用二极管D₁的阳极与所述PMOS场效应管PM₁的漏极连接；

所述反熔丝由PMOS场效应管PM₂构成，所述PMOS场效应管PM₂的源极与栅极均连接在修调输入引脚T_i，所述PMOS场效应管PM₂的漏极接地；

当所述检测电路检测到状态电压V_S大于某个阈值电压V_TH(V_TH≥1.5V)时，所述检测电路输出的修调逻辑信号T_Si为低电平；当所述检测电路检测到状态电压V_S小于阈值电压V_TH时，所述检测电路输出的修调逻辑信号T_Si为高电平。

2.根据权利要求1所述反熔丝修调电路，其特征在于，所述P型通用二极管由依次形成包容关系的P型衬底、N阱、N型重掺杂区、P型重掺杂区构成；所述PMOS场效应管由依次形成包容关系的P型衬底、N阱、N型重掺杂区、P型重掺杂区、多晶硅栅构成；当PMOS场效应管作为反熔丝，所述多晶硅栅接高电压时，反熔丝PM₂的栅极连接修调输入引脚T_i，PM₂的栅极为高电压，其栅极不起作用，故作为反熔丝的PMOS场效应管PM₂具有和P型通用二极管完全相同的工艺层次和结构，二者的耐压即N型重掺杂区和P型重掺杂区之间的PN结反向击穿电压是相同的。