[发明专利]集成电路、存储器阵列及用于形成集成电路和存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成集成电路的方法，其包括：

形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，所述堆叠在其中包括腔，所述腔包括阶梯状结构；

以牺牲材料对所述腔的侧壁的至少一部分加衬；

在所述腔中在所述牺牲材料的径向内侧形成绝缘材料；

从所述腔侧壁与所述绝缘材料之间移除所述牺牲材料中的至少一些以在其间形成空隙空间；以及

在所述空隙空间中的至少一些中形成绝缘体材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料在所述移除的开始时横向位于全部所述腔侧壁的上方。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料在所述移除的开始时横向位于少于全部的所述腔侧壁的上方。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料在所述移除的开始时周向围绕所述腔侧壁的至少最上部部分的全部。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料在所述移除的开始时周向围绕所述腔侧壁的至少最上部部分的少于全部。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述腔侧壁中的一个与所述绝缘材料之间的所述牺牲材料在所述移除的开始时在其顶部比在其底部更宽。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述腔侧壁中的一个与所述绝缘材料之间的所述牺牲材料在所述移除的开始时从其顶部到其底部具有恒定厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料在至少一个竖直横截面中在其最下部二分之一中具有的最大宽度大于在其最上部二分之一中具有的最大宽度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述绝缘体材料填充全部的所述空隙空间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述绝缘材料包括使旋涂电介质流动进入所述腔。

11.根据权利要求10所述的方法，其包括在形成所述绝缘体材料之前使所述旋涂电介质完全致密化。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述完全致密化包括从所述旋涂电介质进入所述空隙空间的气体发射。

13.根据权利要求11所述的方法，其包括在所述移除之前部分地且仅部分地致密化所述旋涂电介质。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述部分地致密化是所述完全致密化密度的至少10％。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述部分地致密化不超过所述完全致密化密度的75％。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述部分地致密化是所述完全致密化密度的10％到75％。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述部分地致密化是所述完全致密化密度的33％到60％。

18.根据权利要求13所述的方法，其包括在形成所述绝缘体材料之前使所述旋涂电介质完全致密化。

19.根据权利要求1所述的方法，其包括形成个别地包括所述阶梯状结构的多个所述腔；加衬、形成绝缘材料、移除以及形成绝缘体材料的所述动作在所述多个腔中发生。