[发明专利]一种钙钛矿微纳晶粒的制备装置、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种钙钛矿微纳晶粒的制备装置，其特征在于，包括：

激振腔室，所述激振腔室底面为从左端向右端连续过渡的左高右低的斜面，

条形铝膜，若干条所述条形铝膜间隔排列固定在斜面上，且条形铝膜与该斜面的斜边不平行，

封盖，所述封盖用于密封激振腔室的上端开口。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿微纳晶粒的制备装置，其特征在于，还包括激振器，所述激振器设置在激振腔室的底部。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿微纳晶粒的制备装置，其特征在于，还包括与所述激振腔室连通的气体充入装置。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿微纳晶粒的制备装置，其特征在于，所述斜面的倾斜角度为5~15°。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿微纳晶粒的制备装置，其特征在于，所述条形铝膜的宽度控制在0.5~1.5mm之间；

或者，所述条形铝膜的数量控制在30~100条之间；

或者，所述条形铝膜的间距控制在1~10mm 。

6.根据权利要求1~5任一项所述的钙钛矿微纳晶粒的制备装置，其特征在于，所述激振腔室和斜面的材质包括聚四氟乙烯、聚二甲基硅氧烷、聚氯乙烯中的任意一种。

7.一种钙钛矿微纳晶粒的制备方法，其特征在于，采用权利要求1~6任一项所述的制备装置执行所述制备方法，包括步骤：

（1）将钙钛矿微纳晶粒放在所述斜面的高位处，并在激振腔室中充入保护性气体，然后用封盖将激振腔室的上端开口密封，并保证激振腔室中为正压状态；

（2）将激振腔室平放在激振器平台上进行激振，使钙钛矿微纳晶粒从斜面的高位激振到低位，即得。

8. 根据权利要求7所述的钙钛矿微纳晶粒的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述钙钛矿微纳晶粒的材质包括MAPbI₃、MAPb Br₃中的任意一种。

9.根据权利要求7或8所述的钙钛矿微纳晶粒的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述激振器的激振频率为30Hz~450Hz，激振时间为1~5分钟。

10.权利要求1~6任一项所述的钙钛矿微纳晶粒的制备装置和/或权利要求7~9任一项所述的钙钛矿微纳晶粒的制备方法在光电器件的制造中的应用。