[发明专利]一种用于补偿LDO输出极点的前馈补偿方法和电路有效
申请号: | 202110403116.X | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN112987837B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 耿翔 | 申请(专利权)人: | 上海南芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/625 | 分类号: | G05F1/625 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 200120 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 补偿 ldo 输出 极点 方法 电路 | ||
1.一种用于补偿LDO输出极点的前馈补偿方法,所述LDO包括误差放大器、NMOS功率管、分压网络、负载电阻和负载电容,所述NMOS功率管的漏极连接LDO的输入电压,其源极连接LDO的输出端并通过所述分压网络产生反馈电压,所述负载电阻和所述负载电容都接在所述LDO的输出端和地之间,所述误差放大器的两个输入端分别连接所述反馈电压和参考电压,其输出信号用于控制所述NMOS功率管的栅极电压;
其特征在于,所述前馈补偿方法为:首先采样所述NMOS功率管的栅极电压获得采样信号,然后将所述采样信号通过一个带通滤波电路后反馈到所述反馈电压中。
2.根据权利要求1所述的用于补偿LDO输出极点的前馈补偿方法,其特征在于,设置采样电路获取所述采样信号,所述采样电路包括一个尺寸小于所述NMOS功率管的NMOS采样管和一个偏置电流源,所述NMOS采样管的栅极和漏极分别连接所述NMOS功率管的栅极和漏极,NMOS采样管的源极输出所述采样信号并连接所述偏置电流源。
3.根据权利要求2所述的用于补偿LDO输出极点的前馈补偿方法,其特征在于,所述带通滤波电路包括第一电阻、第一电容、第二电阻和第二电容,第一电阻的第一连接端连接所述采样信号,第一电阻的第二连接端一方面通过第一电容后连接所述反馈电压,另一方面依次通过第二电容和第二电阻后接地。
4.根据权利要求3所述的用于补偿LDO输出极点的前馈补偿方法,其特征在于,所述采样电路和所述带通滤波电路构成前馈补偿结构,所述前馈补偿结构的传递函数AV1的增益固定;所述LDO内部反馈回路的传递函数AV2与所述前馈补偿结构的传递函数AV1叠加之后在所述反馈电压处得到一个与所述LDO输出极点相关的零点。
5.一种用于补偿LDO输出极点的前馈补偿电路,所述LDO包括误差放大器、NMOS功率管、分压网络、负载电阻和负载电容,所述NMOS功率管的漏极连接LDO的输入电压,其源极连接LDO的输出端并通过所述分压网络产生反馈电压,所述负载电阻和所述负载电容都接在所述LDO的输出端和地之间,所述误差放大器的两个输入端分别连接所述反馈电压和参考电压,其输出信号用于控制所述NMOS功率管的栅极电压;
其特征在于,所述前馈补偿电路包括采样模块和带通滤波模块,所述采样模块用于采样所述NMOS功率管的栅极电压获得采样信号并输出到所述带通滤波模块的输入端,所述带通滤波模块的输出信号叠加到所述反馈电压上。
6.根据权利要求5所述的用于补偿LDO输出极点的前馈补偿电路,其特征在于,所述采样模块包括一个尺寸小于所述NMOS功率管的NMOS采样管和一个偏置电流源,所述NMOS采样管的栅极和漏极分别连接所述NMOS功率管的栅极和漏极,所述NMOS采样管的源极输出所述采样信号并连接所述偏置电流源。
7.根据权利要求5或6所述的用于补偿LDO输出极点的前馈补偿电路,其特征在于,所述带通滤波模块包括第一电阻、第一电容、第二电阻和第二电容,第一电阻的第一连接端连接所述采样信号,第一电阻的第二连接端一方面通过第一电容后连接所述反馈电压,另一方面依次通过第二电容和第二电阻后接地。
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