[发明专利]一种硅基显示面板的像素排列结构及硅基微型显示装置在审
申请号: | 202110402959.8 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN112802887A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 李德权;吴康敬;颜艳霜;孙扬;杨震元 | 申请(专利权)人: | 浙江宏禧科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 金丽英 |
地址: | 322000 浙江省金华市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 像素 排列 结构 微型 显示装置 | ||
本发明涉及硅基显示面板的像素排列结构及显示装置,像素排列结构呈多个“田”字型矩阵阵列排布的发光像素,每个发光像素包括一个第一子像素,一个第二子像素以及两个第三子像素。四个相邻所述第一子像素共用一个金属掩模板,四个相邻所述第二子像素共用一个金属掩模板,两行相邻所述第三子像素共用一个金属掩模板。该像素排列结构可在规避金属掩模板制造工艺限制下,有效地减少像素面积,提高硅基微型显示器的分辨率和像素密。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其是一种硅基显示面板的像素排列结构及硅基微型显示装置。
背景技术
硅基微型OLED显示器结合了成熟的集成电路COMS工艺和OLED显示技术,与其他微型显示技术相比,硅基微型OLED显示器具有低功耗、工作温度范围大、高PPI、高对比度和响应速度快等优点,被称为最适用于近眼显示行业的微显示技术。硅基微型OLED显示器具有较广阔的市场应用空间,特别适用在眼睛式显示器、显示镜及头盔显示器等近眼显示装备,涵盖了游戏、医疗、教育、军事、工业等多个领域。
在硅基OLED微型显示器制造的过程中,硅基板紧贴精细金属掩模板蒸镀有机发光材料,使有机小分子受热蒸发获得目的精细图案。因此精细金属掩模板的开口尺寸决定显示器的分辨率高低,或者像素密度(PPI,即每英寸像素数目)。PPI是衡量屏幕显示画面质量的一个重要指标,PPI越高,像素面积越小,显示画面也就越清晰和细腻。目前通过湿法刻蚀和光刻方法制造的精细金属掩模板能使微型显示器的像素密度在400ppi左右。然而由于精细掩模板制造工艺的限制导致传统条状红绿蓝子像素交错排列的像素结构的PPI难以突破600。因此为了规避精细掩模板制造工艺的限制,提高硅基微型显示器分辨率,提供一种新型的像素排列结构是至关重要的。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:针对精细金属掩模板制造工艺限制下,硅基微型显示器无法达到更高的分辨率及像素密度的问题。
一种硅基显示面板的像素排列结构,其特征在于:
包括多行多列矩阵阵列排布的第一像素单元、第二像素单元、第三像素单元,多个所述第一像素单元与多个所述第二像素单元横向相间排列形成第一像素行,多个所述第三像素单元横向排列形成第二像素行,多个所述第一像素行与多个所述第二像素行在纵向方向相间排列;
所述第一像素单元包括四个相邻的第一子像素,四个相邻的所述第一子像素作为一个单元共用一个金属掩模板开口,所述第二像素单元包括四个相邻的第二子像素,四个相邻的所述第二子像素作为一个单元共用一个金属掩模板开口,所述第三像素单元包括四个相邻的第三子像素,四个相邻的所述第三子像素作为一个单元共用一个金属掩模板开口;
相邻的一个所述第一子像素、一个所述第二子像素和两个所述第三子像素构成一个发光像素。
作为优选,所述发光像素内的一个所述第一子像素、一个所述第二子像素和两个所述第三子像素排列呈田字型。
作为优选,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素均为红色子像素、蓝色子像素或绿色子像素中任一种,且所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的颜色不同。
作为优选,所述发光像素中的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的面积比为1:1:2。
作为优选,所述第一像素单元、所述第二像素单元和所述第三像素单元的金属掩模板开口尺寸一致。
作为优选,同行或同列方向上相邻的所述第一像素单元、所述第二像素单元或所述第三像素单元之间的间隔为0.8至1微米。
作为优选,所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素下均分布阳极像素点。
作为优选,所述发光像素的密度为1200至1600像素每英寸。
一种硅基微型显示装置,其特征在于:包括基板和像素定义层,所述像素定义层层叠在所述基板上,并形成所述像素排列结构的各子像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的