[发明专利]III族氮化物衬底制备方法和半导体器件有效
| 申请号： | 202110402917.4 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN112802930B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B82Y20/00;B82Y40/00;H01L33/10;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 衬底 制备 方法 半导体器件 | ||
1.一种III族氮化物衬底制备方法，包括如下步骤：
在衬底表面形成多孔SiO2层，其中所述SiO2层的多孔为通孔且周期性排列；
将多孔金属掩膜层覆盖于所述多孔SiO2层，其中所述多孔金属掩膜层的多孔与所述多孔SiO2层的多孔一一对应且孔径一致，所述多孔金属掩膜层的下表面带有多个纳米级凸出结构以与所述多孔SiO2层形成纳米级中空结构；
在所述多孔金属掩膜层上表面和所述一一对应的多孔中同步生长III族氮化物层；
去除所述多孔金属掩膜层上表面的III族氮化物层；
去除所述多孔金属掩膜层形成周期性排列的III族氮化物纳米柱。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底制备方法，其特征在于：其中，在衬底表面形成多孔SiO2层具体为：
在所述衬底表面生长SiO2层；
通过刻蚀方法在所述SiO2层表面形成具有周期性排列的贯通的孔状结构。
3.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底制备方法，其特征在于：其中，所述多孔金属掩膜层由金属掩膜板通过刻蚀方法形成。
4.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底制备方法，其特征在于：其中，通过化学气相沉积或分子束外延方法生长所述III族氮化物层。
5.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底制备方法，其特征在于：其中，通过刻蚀方法分别去除所述多孔金属掩膜层上表面的III族氮化物层和多孔金属掩膜层。
6.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底制备方法，其特征在于：其中，所述金属掩膜层材料选自Al、Ni、Ti、Cr、Au、Ag。
7.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底制备方法，其特征在于：其中，所述纳米级中空结构的高度为10~500nm；所述III族氮化物纳米柱高于所述多孔SiO2层10~500nm。
8.一种半导体器件，包括：通过权利要求1-7任一所述的方法制备的III族氮化物衬底。
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