[发明专利]微机电系统器件的制造方法及微机电系统器件在审
申请号: | 202110402447.1 | 申请日: | 2021-04-14 |
公开(公告)号: | CN113184800A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 林源为 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微机 系统 器件 制造 方法 | ||
1.一种微机电系统器件的制造方法,其特征在于,包括:
针对上表面形成有图案化光刻胶层的晶圆,在所述图案化光刻胶层暴露出的所述晶圆的上表面形成种子层,所述晶圆的材质为石英或玻璃;
在所述种子层上形成掩膜层;
去除所述图案化光刻胶层,以暴露出所述晶圆的上表面需要被刻蚀的区域;
采用四氟化碳和氩气的混合气体对所述晶圆的上表面需要被刻蚀的区域进行干法刻蚀,在所述晶圆的上表面形成沟槽和/或槽孔形式的开口,所述开口之间形成的墙体构成多个所述微机电系统器件,所述墙体沿纵向的剖面呈倒锥形;
通过湿法刻蚀去除所述掩膜层。
2.根据权利要求1所述的微机电系统器件的制造方法,其特征在于,在所述采用湿法刻蚀去除所述掩膜层之后,还包括:
通过背面减薄或机械切割将互相连接的多个所述微机电系统器件分割成独立的微机电系统器件。
3.根据权利要求1所述的微机电系统器件的制造方法,其特征在于,所述干法刻蚀的工艺参数包括:
腔压范围:1~30mTorr;
上电极功率范围:600~3000W;
下电极功率范围:50~500W;
基座冷却液温度范围:-15~10℃;
所述氩气的流量范围:10~100sccm;
所述四氟化碳的流量范围:10~100sccm。
4.根据权利要求1所述的微机电系统器件的制造方法,其特征在于,所述在所述图案化光刻胶层暴露出的所述晶圆的上表面形成种子层包括:
通过磁控溅射或热蒸镀在所述图案化光刻胶层暴露出的所述晶圆的上表面形成所述种子层。
5.根据权利要求4所述的微机电系统器件的制造方法,其特征在于,所述种子层包括第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层,所述第一金属层的材质为铬或钛,所述第二金属层的材质为金,所述第一金属层的厚度为1~10nm,所述第二金属层的厚度为10~100nm。
6.根据权利要求4所述的微机电系统器件的制造方法,其特征在于,所述磁控溅射的工艺参数包括:
腔压范围:10~100mTorr;
上电极功率范围:750~3000W;
下电极功率范围:5~500W;
氩气流量范围:50~500sccm;
所述热蒸镀的工艺参数包括:
腔压范围:5×10-5~5×10-4Pa;
电流范围:1~20mA。
7.根据权利要求1所述的微机电系统器件的制造方法,其特征在于,所述在所述种子层上形成掩膜层,包括:
通过电镀工艺在所述种子层上形成所述掩膜层。
8.根据权利要求7所述的微机电系统器件的制造方法,其特征在于,所述掩膜层的材质为镍,所述掩膜层的厚度为5~15μm。
9.根据权利要求7所述的微机电系统器件的制造方法,其特征在于,所述电镀工艺的参数包括:
电压范围:1~30V;
电流范围:1~100mA/cm2。
10.一种微机电系统器件,其特征在于,所述微机电系统器件采用权利要求1-9任意一项所述的微机电系统器件的制造方法制造而成。
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