[发明专利]一种稳定钙钛矿薄膜与空穴传输层界面的方法有效
申请号: | 202110402386.9 | 申请日: | 2021-04-14 |
公开(公告)号: | CN113299838B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 李燕;张家旭;刘泽承;弓斌;王宇鹏 | 申请(专利权)人: | 西安石油大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/42 |
代理公司: | 西安研创天下知识产权代理事务所(普通合伙) 61239 | 代理人: | 郭璐 |
地址: | 710065 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稳定 钙钛矿 薄膜 空穴 传输 界面 方法 | ||
1.一种稳定钙钛矿薄膜与空穴传输层界面的方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:
步骤S1:清洗掺氟氧化锡基体,并在清洗后的掺氟氧化锡基体旋涂TiO2前驱体溶液,旋涂完成后烧结;
步骤S2:包括以下步骤,
S21:配置1,4-二溴苯前驱体溶液,1,4-二溴苯前驱体溶液配置溶质为1,4-二溴苯粉末,溶剂为异丙醇,配置的前驱体溶液浓度为0.2~2mg/ml;
S22:配置CH3NH3PbI3前驱体溶液;
S23:配置空穴传输层前驱体溶液;
步骤S3:将步骤S22配置的CH3NH3PbI3前驱体溶液,在步骤S1制备的掺氟氧化锡基体上经过滴加、旋涂和干燥三个步骤,制备得到CH3NH3PbI3薄膜;
步骤S4:将步骤S21配置的1,4-二溴苯前驱体溶液旋涂到步骤S3制备的CH3NH3PbI3薄膜上,并进行热处理;
步骤S5:将步骤S23配置的空穴传输层前驱体溶液采用转速3000rpm,时间为30s工艺,旋涂在含有1,4-二溴苯的CH3NH3PbI3薄膜表面,进而制备得到钙钛矿薄膜与空穴传输层的稳定界面。
2.根据权利要求1所述的一种稳定钙钛矿薄膜与空穴传输层界面的方法,其特征在于:所述步骤S1中清洗为去离子水、丙酮和乙醇分别超声清洗掺氟氧化锡基体30min,旋涂:转速为3000rpm,时间为20s,烧结的温度为510℃,时间为30min。
3.根据权利要求1所述的一种稳定钙钛矿薄膜与空穴传输层界面的方法,其特征在于:所述步骤S1中TiO2前驱体溶液配置方法为钛酸四异丙酯溶解于乙醇、乙酰丙酮和弱酸性水溶剂中,使用前放置陈化48h。
4.根据权利要求1所述的一种稳定钙钛矿薄膜与空穴传输层界面的方法,其特征在于:所述步骤S22中CH3NH3PbI3前驱体溶液的溶质为CH3NH3I和PbI2,且CH3NH3和PbI3等摩尔量,溶剂为N,N-二甲基甲酰胺。
5.根据权利要求1所述的一种稳定钙钛矿薄膜与空穴传输层界面的方法,其特征在于:所述步骤S23中空穴传输层前驱体溶液由72.3mg 2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴粉末、28.8μl 4-叔丁基吡啶和17.5μl双三氟甲磺酰亚胺锂储备溶液均匀混合在1ml氯苯中并在室温下搅拌2h得到,其中双三氟甲磺酰亚胺锂储备溶液为520mg双三氟甲磺酰亚胺锂溶解于1ml乙腈制备得到。
6.根据权利要求3所述的一种稳定钙钛矿薄膜与空穴传输层界面的方法,其特征在于:所述步骤S22中CH3NH3I和PbI2与N,N-二甲基甲酰胺的混合溶液在70℃磁力搅拌5h,并经过200nm的过滤头过滤。
7.根据权利要求1所述的一种稳定钙钛矿薄膜与空穴传输层界面的方法,其特征在于:所述步骤S3中旋涂的转速为4000rpm,时间为10s,干燥压力为40Pa ~2000Pa。
8.根据权利要求1所述的一种稳定钙钛矿薄膜与空穴传输层界面的方法,其特征在于:所述步骤S4中旋涂的转速为3000rpm,时间为30s,热处理的工艺为退火,温度为150℃,时间为2min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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