[发明专利]一种自润滑难熔高熵合金薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种自润滑难熔高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用磁控溅射技术先在硅基体上镀一层NbMoWTa层，再以所述NbMoWTa层作为生长模板，交替沉积Ag层与NbMoWTa层形成NbMoWTa/Ag纳米多层膜，且最顶层为NbMoWTa层；

所述NbMoWTa层采用直流电源溅射，直流脉冲电源功率为100W，基片偏压为-80V；所述Ag层采用射频电源溅射，射频电源功率为80W，基片偏压为-80V；

所述NbMoWTa/Ag纳米多层膜中NbMoWTa层与Ag层的单层厚度均为2.0nm；所述Ag层与所述NbMoWTa层的总层数为710-730层。

2.根据权利要求1所述的自润滑难熔高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射技术中沉积速率为NbMoWTa层0.120-0.125nm/s、Ag层0.310-0.315nm/s。

3.根据权利要求2所述的自润滑难熔高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射技术中沉积速率为NbMoWTa层0.123nm/s、Ag层0.312nm/s。

4.根据权利要求1所述的自润滑难熔高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述硅基体采用清洗后的单面抛光单晶硅基片。

5.根据权利要求1所述的自润滑难熔高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射技术是采用高纯Ar作为离化气体。

6.一种根据权利要求1-5任一项所述的方法制备得到的自润滑难熔高熵合金薄膜。