[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种氮化物型的半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

缓冲体，设置在所述衬底上，并包括至少一层的氮化物半导体化合物，其中所述氮化物半导体化合物掺杂有受体，并位于所述缓冲体的最顶部；

第一氮化物半导体层，设置在所述缓冲体上；

第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙；

栅极电极，设置在所述第二氮化物半导体层上；以及

第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极，设置在所述第二氮化物半导体层上，并位于所述栅极电极的相对两侧，所述第一源极/漏极电极和所述第二源极/漏极电极沿着延伸方向延伸，其中所述第一源极/漏极电极的轮廓和所述第二源极/漏极电极的轮廓相对于所述栅极电极呈现不对称，使得所述第一源极/漏极电极的底面相对于所述栅极电极比所述第二源极/漏极电极的底面更深，其中所述第一源极/漏极电极具有多个向下延伸部，所述多个向下延伸部沿所述延伸方向设置，并与所述缓冲体的所述最顶部形成界面，其中至少一部分的所述第一氮化物半导体层、至少一部分的所述第二氮化物半导体层以及至少一部分的所述缓冲体的所述最顶部位于两个所述向下延伸部之间。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极/漏极电极的底表面比所述缓冲体的所述最顶部的最顶表面更深。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极/漏极电极穿过所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层，并且所述第二氮化物半导体层接收所述第二源极/漏极电极，使得所述第一源极/漏极电极的所述底面比所述第二源极/漏极电极的所述底面更深。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极/漏极电极的所述底面比所述第二源极/漏极电极的所述底面更深，使得所述第一源极/漏极电极和所述缓冲体的所述最顶部之间的电位差小于所述第二源极/漏极电极和所述缓冲体的所述最顶部之间的电位差。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极/漏极电极相对于所述栅极电极具有的形状不同于所述第二源极/漏极电极具有的形状。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极/漏极电极和所述第二源极/漏极电极从高于所述第二氮化物半导体层的相同位置向下延伸，且所述第一源极/漏极电极的向下延伸长度大于所述第二源极/漏极电极的向下延伸长度。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极/漏极电极向下延伸至所述缓冲体的所述最顶部的厚度内的位置，且所述第二源极/漏极电极向下延伸至所述第二氮化物半导体层的厚度内的位置。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极/漏极电极比所述第二源极/漏极电极更靠近所述缓冲体的所述最顶部。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极/漏极电极的横向长度大于所述第二源极/漏极电极的横向长度。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极/漏极电极的侧壁相对于所述栅极电极比所述第二源极/漏极电极的侧壁更倾斜。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极/漏极电极包括第一导电填充物，而所述第二源极/漏极电极包含第二导电填充物，且所述第一导电填充物的厚度大于所述第二导电填充物的厚度。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电填充物的形状与所述第二导电填充物的形状不同。