[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括第一导电类型的半导体衬底以及在所述半导体衬底上设置的非对称场效应晶体管，所述非对称场效应晶体管包括：

形成于所述半导体衬底内且具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第一源区和第一漏区；

形成于所述半导体衬底上的第一栅绝缘层以及形成于所述第一栅绝缘层上的第一栅极，所述第一源区和第一漏区位于所述第一栅极的两侧，沟道区位于所述第一栅极正下方的半导体衬底中；其中，所述沟道区与第一漏区之间间隔绝缘区，使得所述第一源区和第一漏区相对于所述第一栅极不对称且第一漏区设置于比第一源区更加远离所述第一栅极的位置，所述第一栅绝缘层的厚度在60nm以上，且所述第一栅绝缘层包括扩展绝缘部，所述扩展绝缘部为所述第一栅绝缘层在所述第一源区一侧比所述第一栅极增宽余边距离的部分，所述余边距离大于覆盖在所述第一栅极侧面的侧墙的宽度；所述第一源区与基于所述半导体衬底形成的另外的场效应晶体管的源漏区注入能量相同，而所述源漏区注入能量不足以使注入离子穿过邻接所述侧墙的扩展绝缘部，所述第一源区与所述侧墙在所述半导体衬底的上表面内的投影之间具有间隙；以及，

形成于所述半导体衬底内且具有第二导电类型的源极扩展区，所述源极扩展区的注入能量大于所述源漏区注入能量，所述源极扩展区位于所述扩展绝缘部下方，且连接所述第一源区和所述沟道区。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述非对称场效应晶体管包括设置于所述半导体衬底内且具有第二导电类型的漂移区；其中，所述第一漏区设置于所述漂移区内，相对于所述半导体衬底的顶表面，所述源极扩展区浅于所述漂移区。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘区从所述半导体衬底内延伸至表面，且所述第一栅绝缘层与第一栅极重叠的区域覆盖部分所述绝缘区。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅绝缘层的厚度为100nm以下。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极扩展区形成于位于所述半导体衬底内且具有第一导电类型的第一阱区内，所述第一源区形成于所述源极扩展区内。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述非对称场效应晶体管的工作电压为25V以上且40V以下。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括在所述半导体衬底上设置的另外的场效应晶体管，所述另外的场效应晶体管包括位于所述半导体衬底上的第二栅绝缘层、位于所述第二栅绝缘层上的第二栅极以及设置于所述半导体衬底中的第二源区和第二漏区，所述另外的场效应晶体管对应的第二栅绝缘层较所述非对称场效应晶体管对应的第一栅绝缘层薄。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述另外的场效应晶体管包括至少一个对称场效应晶体管，每个所述对称场效应晶体管对应的第二源区和第二漏区关于相应的第二栅极对称，且所述对称场效应晶体管中的至少一个的栅长为100nm以下。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述另外的场效应晶体管包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，所述第一场效应晶体管对应的第二栅绝缘层的厚度为10nm以上且20nm以下，所述第二场效应晶体管对应的第二栅绝缘层的厚度小于4nm。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管对应的第二源区和第二漏区均具有第一导电类型或者第二导电类型，所述第二场效应晶体管对应的第二源区和第二漏区具有第二导电类型。