[发明专利]应用于TDDI芯片遇到小坑时触控面板TP的扫描方法有效

专利信息
申请号: 202110396897.4 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN113064526B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 王亚洲;张金磊 申请(专利权)人: 合肥松豪电子科技有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 代理人: 余婧
地址: 230000 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 应用于 tddi 芯片 遇到 小坑时触控 面板 tp 扫描 方法
【权利要求书】:

1.应用于TDDI芯片遇到小坑时触控面板TP的扫描方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、亮屏模式下,设置触控面板TP的默认扫描方式是第一扫描模式Long HMode;

S2、在该模式下,判断小坑长度是否够TP完成一次扫描,当小坑长度够TP完成一次扫描时,进入步骤S3,当长度不够TP完成一次扫描时采用2个坑够TP完成一次扫描,进入步骤S4;

S3、当检测到触控面板TP的扫描信号TP处在Long H Mode,当检测到H_Te下降沿,TP开始扫描,P1为TP电路的CA进行充电,Adc_sh为AD的采样信号;

S4、当检测到触控面板TP的扫描信号处于H_Te下降沿时,触控面板TP开始扫描,在第一个坑内触控面板TP电路的CA进行充电,在第二个坑内进行AD的采样。

2.根据权利要求1所述的应用于TDDI芯片遇到小坑时触控面板TP的扫描方法,其特征在于,在步骤S2前还包括对软件进行配置,所述软件为:

配置方式包括:

S21、软件配置寄存器使信号Long_h_mode=1,使扫描模式处在第一扫描模式Long HMode;

S22、软件配置P1的低电平长度和高电平长度,使P1低电平长度加上P1高电平长度大于H_Te周期长度。

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