[发明专利]一种掺杂缺陷去除方法

说明书

本申请提供一种掺杂缺陷去除方法，提供半导体结构，半导经过离子注入和退火处理，半导体结构具有尖角，且尖角处存在缺陷，之后，可以对半导体结构进行低温氧化，以氧化尖角处的缺陷，由于缺陷处存在更多的悬挂键，活性较高，因此比较容易被氧化，之后可以去除半导体结构中被氧化的部分，这样可以有效去除半导体结构掺杂时形成的缺陷，有利于提高器件性能。

技术领域

本申请涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种掺杂缺陷去除方法。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中，存在通过离子注入对半导体结构进行掺杂的工艺，具体的，可以在常温或低温注入进行退火，以激活半导体结构中的掺杂离子，然而在半导体结构存在尖角时，退火后会在尖角处形成孪生缺陷(twin defect)，参考图1所示，为目前的一种孪生缺陷的示意图，其中半导体结构200形成于衬底100上，半导体结构200的尖角处形成有孪生缺陷210，这种缺陷影响半导体结构的电学性能。

业界常采用热注入的方式来消除这种缺陷，但是热注入对于杂质分布的控制和激活度都会有不良影响。如何在不影响掺杂效果的同时去除这种缺陷，是提高半导体器件性能的重要问题。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种掺杂缺陷去除方法，有效去除半导体结构掺杂时形成的缺陷，提高了器件性能。

本申请有实施例提供了一种掺杂缺陷去除方法，包括：

提供半导体结构；所述半导体结构经过离子注入和退火处理，所述半导体结构具有尖角，且所述尖角处存在缺陷；

对所述半导体结构进行低温氧化，以氧化所述尖角处的缺陷；

去除所述半导体结构中被氧化的部分。

可选的，所述去除所述半导体结构中被氧化的部分，包括：

将所述半导体结构置于研磨装置中；所述研磨装置包括研磨腔体；所述研磨腔体中设置有研磨机台，所述研磨机台用于放置半导体结构；所述研磨腔体侧壁设置有液体入口和液体出口；所述液体入口用于向所述研磨腔体通入研磨液，所述液体出口用于流出所述研磨腔体内的研磨液；

利用所述液体入口向所述研磨腔体通入研磨液；所述研磨腔体中的研磨液浸没所述研磨机台上的半导体结构时，对所述半导体结构进行研磨，以去除所述半导体结构中被氧化的部分。

可选的，所述研磨腔体内填充有惰性气体，所述研磨腔体顶部设置有压力盘，所述压力盘用于在纵向移动时调节所述惰性气体的压力时，所述方法还包括：

调节所述压力盘在纵向上的位置，以调整所述惰性气体的压力。

可选的，所述惰性气体中掺入HF气体或HCl气体。

可选的，所述方法还包括：

控制所述研磨机台旋转，以带动所述半导体结构旋转。

可选的，所述方法还包括：

对所述研磨液施加超声或兆声。

可选的，所述方法还包括：

对所述研磨液进行加热。

可选的，所述对半导体结构进行低温氧化，包括：

对所述半导体结构进行臭氧氧化。

可选的，对所述半导体结构进行低温氧化之前，所述方法还包括：

利用等离子体，对所述半导体结构进行表面活性处理。

可选的，所述半导体结构为鳍式场效应晶体管器件中的源漏，所述离子注入用于实现浅结注入或源漏掺杂。