[发明专利]自驱动紫外光电探测器及制备方法

权利要求书

1.一种自驱动紫外光电探测器，其特征在于，用于探测紫外光，且能够探测出所述紫外光的最低检测限为UV_min，所述自驱动紫外光电探测器包括：

绝缘基底；

电极层，形成在所述绝缘基底上，且所述电极层的材料选择为光敏电阻材料，所述光敏电阻材料基于光致阻变效应从而在紫外光照射下引起阻值变化；

摩擦层，形成在所述电极层上，所述摩擦层用于与外部基材摩擦起电，从而在所述摩擦层表面带电；

所述电极层基于静电感应效应感应出与所述摩擦层表面相反的电荷，且基于所述光致阻变效应引起的阻值变化，从而引起所述自驱动紫外光电探测器的输出变化，进而检测出最低检测限为UV_min的所述紫外光；

所述光敏电阻材料选择为在紫外光照射下的阻值在M～N范围内变化，且0.01GΩ≤M≤1GΩ，其中，N的取值与所述最低检测限UV_min的值成反方向变化，且0.01GΩ＜N≤150GΩ；

所述最低检测限UV_min为0～0.61mW/cm²时，则N的取值范围为1GΩ≤N≤150GΩ。

2.根据权利要求1所述的自驱动紫外光电探测器，其特征在于，

最低检测限UV_min为大于0.61mW/cm²时，则N的取值范围为0.01GΩ＜N≤1GΩ。

3.根据权利要求1所述的自驱动紫外光电探测器，其特征在于，

所述绝缘基底具有第一预设透光率，所述第一预设透光率选择为范围在50％～100％中任一值；

所述摩擦层具有第二预设透光率，所述第二预设透光率选择为范围在50％～100％中任一值。

4.根据权利要求3所述的自驱动紫外光电探测器，其特征在于，

所述第一预设透光率和所述第二预设透光率均为100％。

5.根据权利要求1所述的自驱动紫外光电探测器，其特征在于，

所述绝缘基底为柔性基底。

6.根据权利要求1所述的自驱动紫外光电探测器，其特征在于，所述绝缘基底选自聚酯、聚酰亚胺或聚乙烯醇中的一种。

7.根据权利要求1所述的自驱动紫外光电探测器，其特征在于，

所述摩擦层选自硅胶、聚二甲基硅氧烷或聚四氟乙烯中的一种。

8.根据权利要求1所述的自驱动紫外光电探测器，其特征在于，

所述摩擦层完全包裹所述电极层。

9.一种自驱动紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述自驱动紫外光电探测器用于探测紫外光，且能够探测出所述紫外光的最低检测限为UV_min，所述制备方法包括：

提供一绝缘基底；

在所述绝缘基底上制备电极层，其中，所述电极层的材料选择为光敏电阻材料，所述光敏电阻材料基于光致阻变效应从而在紫外光照射下引起阻值变化；

在所述电极层上制备摩擦层，其中，所述摩擦层用于与外部基材摩擦起电，从而在所述摩擦层表面带电；

所述电极层基于静电感应效应感应出与所述摩擦层表面相反的电荷，且基于所述光致阻变效应引起的阻值变化，从而引起所述自驱动紫外光电探测器的输出变化，进而检测出最低检测限为UV_min的所述紫外光；

所述光敏电阻材料选择为在紫外光照射下的阻值在M～N范围内变化，0.01GΩ≤M≤1GΩ；

其中，N的取值与所述最低检测限UV_min的值成反方向变化，且0.01GΩ＜N≤150GΩ；

所述最低检测限UV_min为0～0.61mW/cm²时，则N的取值范围为1GΩ≤N≤150GΩ。