[发明专利]基于瞬态电压抑制器的微波防护电路

说明书

本发明提供了一种基于瞬态电压抑制器的微波防护电路，包括第一防护电路和第二防护电路，所述第一防护电路和第二防护电路是瞬态电压抑制器的组合。本发明将两种瞬态电压抑制器进行组合，利用其遭遇强电磁脉冲冲击时电阻迅速下降，进而吸收大电流保护后续电路的特性，确保后续器件免受瞬态高能量的冲击而损坏；本发明利用两种瞬态电压抑制器的电路模型，通过仿真获得了不同频率下瞬变电压抑制二极管的高频特性，同时得到了它们的动态电阻与输入功率的关系，获得吸收电流的比值，从而显著地提升了被保护器件的功率阈值。

技术领域

本发明涉及射频前端器件保护和强电磁脉冲的技术领域，具体地，涉及基于瞬态电压抑制器的微波防护电路。

背景技术

随着电子科技的飞速发展，信息化程度的不断提高，各种电子设备所面对的电磁环境也越来越复杂，亟需采取与之相对应的防护措施。电磁环境是存在于空间中所有电磁现象的总和，其中自然界和人类社会中产生的多种电磁脉冲都能对信息安全带来严重威胁，如雷电、静电放电、核电磁脉冲以及高功率微波辐射等。雷电、静电感应以及高功率微波等电磁脉冲均可以通过天线、电缆、接口以及设备孔隙耦合进入电子信息系统内部，产生瞬态过电压，进而影响系统正常工作甚至导致损毁。其中高功率微波的频率范围极广，为300MHz-300GHz，脉冲峰值功率不低于100MW，甚至可达GW量级，脉冲时间在几十ns到几百ns之间，对电子系统具有很强的危害性。因此，需要提出一种技术方案以改善上述技术问题。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种基于瞬态电压抑制器的微波防护电路。

根据本发明提供的一种基于瞬态电压抑制器的微波防护电路，包括第一防护电路和第二防护电路，所述第一防护电路和第二防护电路是瞬态电压抑制器的组合。

优选地，所述瞬态电压抑制器的组合方式包括种类、数量以及防护电路的接入位置。

优选地，所述第一防护电路的瞬态电压抑制器的型号为ESD105-B1-02ELS；所述第二防护电路的瞬态电压抑制器的型号为ESD108-B1-CSP0201。

优选地，所述第一防护电路包括多个TVS二极管。

优选地，所述TVS二极管包括五个型号为ESD105-B1-02ELS的TVS二极管和两个型号为ESD108-B1-CSP0201的TVS二极管。

优选地，所述第一防护电路包括六条支路，第一条支路包含两个TVS二极管，第一个为TVS二极管ESD105-B1-02ELS，第二个为TVS二极管ESD108-B1-CSP0201；第二条至第五条支路包括一个TVS二极管ESD105-B1-02ELS；第六条支路包括一个TVS二极管ESD108-B1-CSP0201。

优选地，所述第二防护电路包括多个TVS二极管。

优选地，所述第二防护电路包括三个型号为ESD105-B1-02ELS的TVS二极管和三个型号为ESD108-B1-CSP0201的TVS二极管。

优选地，所述第二防护电路包括三条支路，第一条支路包含四个TVS二极管，由上至下分为两部分，第一部分为TVS二极管ESD105-B1-02ELS与TVS二极管ESD105-B1-02ELS和TVS二极管ESD108-B1-CSP0201的并联，第二部分包括一个TVS二极管ESD108-B1-CSP0201，第一部分与第二部分串联；第二条支路包括一个TVS二极管ESD105-B1-02ELS；第三条支路包括一个TVS二极管ESD108-B1-CSP0201。

优选地，所述第一防护电路和第二防护电路的一端接入被保护器件的输入端，另一端接地。

与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：

1、防护电路占用体积小，成本低廉，且响应速度快，拥有纳秒级的响应时间，防护效果好；