[发明专利]一种元数据写入方法及相关装置

说明书

本申请公开了一种元数据写入方法，包括：主控制器将获取到的待写入元数据写入到主控制器的DCPMM中；根据待写入元数据生成对应的写入命令；将写入命令发送至从控制器，以便从控制器将写入命令的待写入元数据写入从控制器的DCPMM中；其中，主控制器和从控制器均为全闪存存储系统的存储控制器。通过主控制器先将待写入元数据写入到主控制器的DCPMM中，然后再通过从控制器根据写入命令将待写入元数据写入到从控制器的DCPMM中，实现元数据均存入DCPMM，并且为双备份存储，提高元数据存储的可靠性和安全性。本申请还公开了一种元数据写入装置、服务器以及计算机可读存储介质，具有以上有益效果。

技术领域

本申请涉及数据存储技术领域，特别涉及一种元数据写入方法、元数据写入装置、服务器以及计算机可读存储介质。

背景技术

随着信息技术的不断发展，为了进一步的提高数据存储的速度，保持较高的数据读写性能，出现了全部采用闪存的存储系统，即全闪存存储系统(全闪存阵列)。全闪存阵列是完全由固态存储介质(通常是NAND闪存)构成的独立的存储阵列或设备，这些系统是用于增强可能包含磁盘阵列的环境的性能，或者用于取代所有传统的硬盘存储阵列。

相关技术中，在全闪存存储系统，存在不同特性的存储操作，例如重删，压缩，精简卷等。并且，使用多个大型的B+树存储元数据，且元数据变动频繁。为了实时对元数据进行修改，通常将元数据部分暂存于内存中，需要定期下刷到SSD(Solid State Disk固态硬盘)盘中，且必须进行掉电保护以防止数据丢失。同时，SSD硬盘不支持本地更新，使得元数据的频繁修改带来严重的写放大。可见，相关技术中通过SSD盘存储元数据容易导致元数据的丢失损坏等问题，降低存储系统存储元数据的可靠性和安全性。

因此，如何提高存储元数据的可靠性是本领域技术人员关注的重点问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种元数据写入方法、元数据写入装置、服务器以及计算机可读存储介质，通过主控制器先将待写入元数据写入到主控制器的DCPMM中，然后再通过从控制器根据写入命令将待写入元数据写入到从控制器的DCPMM中，实现元数据均存入DCPMM，并且为双备份存储，提高元数据存储的可靠性和安全性。

为解决上述技术问题，本申请提供一种元数据写入方法，包括：

主控制器将获取到的待写入元数据写入到所述主控制器的DCPMM中；

根据所述待写入元数据生成对应的写入命令；

将所述写入命令发送至从控制器，以便所述从控制器将所述写入命令的待写入元数据写入所述从控制器的DCPMM中；其中，所述主控制器和所述从控制器均为全闪存存储系统的存储控制器。

可选的，将所述写入命令发送至从控制器，包括：

通过NTB接口将所述写入命令发送至从控制器。

可选的，还包括：

所述主控制器将所述写入命令添加至待确认命令列表。

可选的，还包括：

当所述主控制器接收到从控制器发送的所述写入命令对应的确认消息时，从所述待确认命令列表中删除所述写入命令。

可选的，还包括：

当DCPMM控制器检测到不可修复错误的数据块时，所述DCPMM控制器将所述不可修复错误的数据块拷贝至空闲的存储位置，并设置错误数据标志。

可选的，还包括：

当主控制器器读取到设置有错误数据标志的数据块时，所述主控制器从所述从控制器获取该数据块对应的数据，并写入所述主控制器的DCPMM中；