[发明专利]晶圆的晶背对准方法、晶圆的晶背对准设备和光刻机在审

专利信息
申请号: 202110395085.8 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN113031410A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 李天慧;何学缅;吴永玉;刘佑铭;李剑波;刘金营;李敏 申请(专利权)人: 上海先进半导体制造有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 杨东明;张冉
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 对准 方法 设备 光刻
【权利要求书】:

1.一种晶圆的晶背对准方法,其特征在于,所述晶背对准方法包括:

提供一晶圆;

向所述晶圆发射第一激光光束以在所述晶圆的正面上的第一预设位置刻蚀出正面对准标记,并且向所述晶圆发射第二激光光束以在所述晶圆的背面上的第二预设位置刻蚀出背面对准标记,其中,所述第一预设位置与所述第二预设位置处于同一晶圆坐标系;

将所述正面对准标记设定为晶圆加工的正面基准,及将所述背面对准标记设定为晶圆加工的背面基准。

2.如权利要求1所述的晶圆的晶背对准方法,其特征在于,在所述向所述晶圆发射第一激光光束以在所述晶圆的正面上的第一预设位置刻蚀出正面对准标记,并且向所述晶圆发射第二激光光束以在所述晶圆的背面上的第二预设位置刻蚀出背面对准标记的步骤之前,所述晶背对准方法还包括:

发射一激光光束至分光器以将所述激光光束分为第一激光光束和第二激光光束。

3.如权利要求1所述的晶圆的晶背对准方法,其特征在于,在所述向所述晶圆发射第一激光光束以在所述晶圆的正面上的第一预设位置刻蚀出正面对准标记,并且向所述晶圆发射第二激光光束以在所述晶圆的背面上的第二预设位置刻蚀出背面对准标记的步骤中,

所述第一预设位置与所述第二预设位置具有预定的相对位置关系。

4.如权利要求1所述的晶圆的晶背对准方法,其特征在于,在所述向所述晶圆发射第一激光光束以在所述晶圆的正面上的第一预设位置刻蚀出正面对准标记,并且向所述晶圆发射第二激光光束以在所述晶圆的背面上的第二预设位置刻蚀出背面对准标记的步骤中,

分别控制发射所述第一激光光束的时长和发射所述第二激光光束的时长以使所述正面对准标记的刻蚀深度与所述背面对准标记的刻蚀深度不相同。

5.如权利要求4所述的晶圆的晶背对准方法,其特征在于,

根据介质刻蚀率控制发射所述第一激光光束的时长和发射所述第二激光光束的时长。

6.如权利要求1所述的晶圆的晶背对准方法,其特征在于,所述提供一晶圆的步骤,包括:

夹持一晶圆的边缘以使所述晶圆的正面和背面的刻蚀区域悬空。

7.如权利要求1所述的晶圆的晶背对准方法,其特征在于,在所述提供一晶圆的步骤之前,所述晶背对准方法包括:

通过在预定位置放置的两个感光器分别接收到所述第一激光光束和所述第二激光光束以校准激光束位置,所述第一激光光束和所述第二激光光束在所述预定位置处的间距控制在预定位置距离阈值之内。

8.一种晶圆的晶背对准设备,其特征在于,所述晶背对准设备包括:控制器;

所述控制器用于输出控制激光发射指令以向待对准的晶圆发射第一激光光束以在所述晶圆的正面上的第一预设位置刻蚀出正面对准标记,并且向所述晶圆发射第二激光光束以在所述晶圆的背面上的第二预设位置刻蚀出背面对准标记,其中,所述第一预设位置与所述第二预设位置处于同一晶圆坐标系;

所述控制器还用于将所述正面对准标记设定为晶圆加工的正面基准,及将所述背面对准标记设定为晶圆加工的背面基准。

9.如权利要求8所述的晶圆的晶背对准设备,其特征在于,所述晶背对准设备还包括:激光发射器和分光器;

所述激光发射器用于根据所述控制器发送的控制激光产生指令,产生激光光束并发射至所述分光器;

所述分光器用于根据所述控制激光发射指令将接收到的所述激光光束分为所述第一激光光束和所述第二激光光束,并且向待对准的晶圆发射所述第一激光光束以在所述晶圆的正面上的所述第一预设位置刻蚀出所述正面对准标记,并且向所述晶圆发射所述第二激光光束以在所述晶圆的背面上的所述第二预设位置形成所述背面对准标记。

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